MOSFET STMicroelectronics, canale Tipo N 100 V, 6 mΩ Miglioramento, 110 A, 8 Pin, PowerFLAT, Superficie

Prezzo per 1 bobina da 3000 unità*

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Codice RS:
920-6648
Codice costruttore:
STL110N10F7
Costruttore:
STMicroelectronics
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Marchio

STMicroelectronics

Tipo prodotto

MOSFET

Tipo di canale

Tipo N

Massima corrente di scarico continua Id

110A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

100V

Serie

STripFET H7

Tipo di package

PowerFLAT

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

8

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

6mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

60nC

Minima temperatura operativa

-55°C

Dissipazione di potenza massima Pd

5W

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

20 V

Tensione diretta Vf

1.2V

Temperatura massima di funzionamento

175°C

Altezza

0.95mm

Standard/Approvazioni

No

Larghezza

6.35 mm

Lunghezza

5.4mm

Standard automobilistico

No

STripFET™ a canale N, serie H7, STMicroelectronics


I MOSFET STripFET™ con gamma di tensione di scarica distruttiva offrono una carica di gate ultra-bassa e bassa resistenza all'accensione.

Transistor MOSFET, STMicroelectronics


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