MOSFET STMicroelectronics, canale Tipo N 650 V, 67 mΩ Miglioramento, 40 A, 4 Pin, PowerFLAT, Superficie

Visualizza MOSFET

Prezzo per 1 bobina da 3000 unità*

40.359,00 €

(IVA esclusa)

49.239,00 €

(IVA inclusa)

Add to Basket
Selezionare o digitare la quantità
Temporaneamente esaurito
  • Spedizione a partire dal 12 marzo 2027
Te ne servono di più? Inserisci la nuova quantità e clicca su "Controlla le date di consegna".
Unità
Per unità
Per bobina*
3000 +13,453 €40.359,00 €

*prezzo indicativo

Codice RS:
213-3941
Codice costruttore:
SCTL35N65G2V
Costruttore:
STMicroelectronics
Trova prodotti simili selezionando uno o più attributi.
Seleziona tutto

Marchio

STMicroelectronics

Tipo prodotto

MOSFET

Tipo di canale

Tipo N

Massima corrente di scarico continua Id

40A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

650V

Tipo di package

PowerFLAT

Serie

SCTL35N65G2V

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

4

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

67mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Minima temperatura operativa

-55°C

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

73nC

Dissipazione di potenza massima Pd

417W

Tensione diretta Vf

3.3V

Temperatura massima di funzionamento

175°C

Altezza

0.95mm

Lunghezza

8.1mm

Standard/Approvazioni

No

Standard automobilistico

No

The STMicroelectronics SCTL35N65G2V silicon carbide power MOSFET device has been developed using advanced and innovative 2nd generation SiC MOSFET technology, features remarkably low on-resistance per unit area and very good switching performance.

Very fast and robust intrinsic body diode

Low capacitance

Source sensing pin for increased efficiency

Link consigliati