MOSFET STMicroelectronics, canale Tipo N 650 V, 67 mΩ Miglioramento, 40 A, 4 Pin, PowerFLAT, Superficie SCTL35N65G2V

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Opzioni di confezione:
Codice RS:
213-3942
Codice costruttore:
SCTL35N65G2V
Costruttore:
STMicroelectronics
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Marchio

STMicroelectronics

Tipo di canale

Tipo N

Tipo prodotto

MOSFET

Massima corrente di scarico continua Id

40A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

650V

Tipo di package

PowerFLAT

Serie

SCTL35N65G2V

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

4

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

67mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Tensione diretta Vf

3.3V

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

73nC

Minima temperatura operativa

-55°C

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

22 V

Dissipazione di potenza massima Pd

417W

Temperatura massima di funzionamento

175°C

Larghezza

8.1 mm

Lunghezza

8.1mm

Altezza

0.95mm

Standard/Approvazioni

No

Standard automobilistico

No

The STMicroelectronics SCTL35N65G2V silicon carbide power MOSFET device has been developed using advanced and innovative 2nd generation SiC MOSFET technology, features remarkably low on-resistance per unit area and very good switching performance.

Very fast and robust intrinsic body diode

Low capacitance

Source sensing pin for increased efficiency

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