MOSFET STMicroelectronics, canale N 650 V, 67 mΩ Miglioramento, 40 A, 4 Pin, PowerFLAT, Superficie SCTL35N65G2V

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Opzioni di confezione:
Codice RS:
213-3942
Codice costruttore:
SCTL35N65G2V
Costruttore:
STMicroelectronics
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Marchio

STMicroelectronics

Tipo prodotto

MOSFET

Tipo di canale

N

Massima corrente di scarico continua Id

40A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

650V

Tipo di package

PowerFLAT

Serie

SCTL35N65G2V

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

4

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

67mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Dissipazione di potenza massima Pd

417W

Minima temperatura operativa

-55°C

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

73nC

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

22V

Tensione diretta Vf

3.3V

Temperatura massima di funzionamento

175°C

Lunghezza

8.1mm

Standard/Approvazioni

No

Altezza

950μm

Larghezza

8.1mm

Standard automobilistico

No

The STMicroelectronics SCTL35N65G2V silicon carbide power MOSFET device has been developed using advanced and innovative 2nd generation SiC MOSFET technology, features remarkably low on-resistance per unit area and very good switching performance.

Very fast and robust intrinsic body diode

Low capacitance

Source sensing pin for increased efficiency

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