MOSFET singoli STMicroelectronics, canale Tipo N 650 V, 44 mΩ Miglioramento, 58 A, 5 Pin, PowerFLAT, Superficie

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Codice RS:
648-109
Codice costruttore:
ST8L65N044M9
Costruttore:
STMicroelectronics
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Marchio

STMicroelectronics

Tipo prodotto

MOSFET singoli

Tipo di canale

Tipo N

Massima corrente di scarico continua Id

58A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

650V

Serie

ST8L65

Tipo di package

PowerFLAT

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

5

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

44mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

±30 V

Tensione diretta Vf

1.6V

Dissipazione di potenza massima Pd

166W

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

110nC

Minima temperatura operativa

-55°C

Temperatura massima di funzionamento

150°C

Standard/Approvazioni

No

Altezza

0.95mm

Larghezza

8.10 mm

Lunghezza

8.10mm

Standard automobilistico

No

Paese di origine:
CN
Il MOSFET di potenza a canale N STMicroelectronics è basato sulla più innovativa tecnologia MDmesh M9 a supergiunzione, adatta per i MOSFET a media/alta tensione con RDS(on) molto basso per area. La tecnologia M9 a base di silicio beneficia di un processo di fabbricazione multi-drenaggio che consente una struttura del dispositivo migliorata. È dotato di uno dei valori di resistenza all'accensione più bassi e di una carica di gate ridotta, tra tutti i MOSFET di potenza a supergiunzione a commutazione rapida a base di silicio, il che lo rende particolarmente adatto per le applicazioni che richiedono una densità di potenza superiore e un'eccezionale efficienza.

Eccellenti prestazioni di commutazione

Facile da azionare

Prodotto testato al 100% contro le scariche disruptive a valanga

Eccellenti prestazioni di commutazione

Contenitore PowerFLAT 8x8 HV

Conforme alla direttiva RoHS

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