MOSFET di potenza STMicroelectronics, canale Canale N 650 V, 65 mΩ N, 44 A, 5 Pin, PowerFlat HV, Montaggio superficiale

Visualizza MOSFET
Sconto per quantità disponibile

Prezzo per 1 unità*

3,91 €

(IVA esclusa)

4,77 €

(IVA inclusa)

Add to Basket
Selezionare o digitare la quantità
In magazzino
  • 300 unità pronte per la spedizione da un'altra sede
Te ne servono di più? Inserisci la nuova quantità e clicca su "Controlla le date di consegna".

Unità
Per unità
1 - 93,91 €
10 - 243,79 €
25 - 993,72 €
100 - 4993,18 €
500 +2,98 €

*prezzo indicativo

Codice RS:
762-552
Codice costruttore:
ST8L65N065DM9
Costruttore:
STMicroelectronics
Trova prodotti simili selezionando uno o più attributi.
Seleziona tutto

Marchio

STMicroelectronics

Tipo di canale

Canale N

Tipo prodotto

MOSFET di potenza

Massima corrente di scarico continua Id

44A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

650V

Serie

ST8L65N0

Tipo di package

PowerFlat HV

Tipo montaggio

Montaggio superficiale

Numero pin

5

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

65mΩ

Modalità canale

N

Dissipazione di potenza massima Pd

223W

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

78nC

Tensione diretta Vf

1.6V

Minima temperatura operativa

-55°C

Temperatura massima di funzionamento

150°C

Altezza

0.95mm

Standard/Approvazioni

RoHS Compliant

Lunghezza

8.1mm

Standard automobilistico

No

Paese di origine:
CN
Il MOSFET Super Junction Power N-Channel di STMicroelectronics è un dispositivo di potenza ad alta efficienza basato sulla tecnologia Advanced MDmesh M9 Super Junction. È progettato per applicazioni a media o alta tensione in cui le basse perdite di conduzione e la commutazione rapida sono fondamentali.

FOM molto bassa

Maggiore capacità dv/dt

Eccellenti prestazioni di commutazione

Prodotto testato al 100% contro le scariche disruptive a valanga

Link consigliati