MOSFET di potenza STMicroelectronics, canale Canale N 650 V, 65 mΩ N, 44 A, 5 Pin, PowerFlat HV, Superficie

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Codice RS:
762-552
Codice costruttore:
ST8L65N065DM9
Costruttore:
STMicroelectronics
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Marchio

STMicroelectronics

Tipo di canale

Canale N

Tipo prodotto

MOSFET di potenza

Massima corrente di scarico continua Id

44A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

650V

Tipo di package

PowerFlat HV

Serie

ST8L65N0

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

5

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

65mΩ

Modalità canale

N

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

78nC

Tensione diretta Vf

1.6V

Minima temperatura operativa

-55°C

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

30V

Dissipazione di potenza massima Pd

223W

Temperatura massima di funzionamento

150°C

Altezza

0.95mm

Larghezza

8.1mm

Lunghezza

8.1mm

Standard/Approvazioni

RoHS Compliant

Standard automobilistico

No

Paese di origine:
CN
Il MOSFET Super Junction Power N-Channel di STMicroelectronics è un dispositivo di potenza ad alta efficienza basato sulla tecnologia Advanced MDmesh M9 Super Junction. È progettato per applicazioni a media o alta tensione in cui le basse perdite di conduzione e la commutazione rapida sono fondamentali.

FOM molto bassa

Maggiore capacità dv/dt

Eccellenti prestazioni di commutazione

Prodotto testato al 100% contro le scariche disruptive a valanga

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