MOSFET di potenza STMicroelectronics, canale Canale N 650 V, 50 mΩ N, 35 A, 5 Pin, PowerFlat HV, Superficie

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Codice RS:
762-551
Codice costruttore:
ST8L65N050DM9
Costruttore:
STMicroelectronics
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Marchio

STMicroelectronics

Tipo prodotto

MOSFET di potenza

Tipo di canale

Canale N

Massima corrente di scarico continua Id

35A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

650V

Tipo di package

PowerFlat HV

Serie

ST8L65N0

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

5

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

50mΩ

Modalità canale

N

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

107nC

Dissipazione di potenza massima Pd

167W

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

30V

Tensione diretta Vf

1.6V

Minima temperatura operativa

-55°C

Temperatura massima di funzionamento

150°C

Lunghezza

8.1mm

Standard/Approvazioni

RoHS Compliant

Larghezza

8.1mm

Altezza

0.95mm

Standard automobilistico

No

Paese di origine:
CN
Il MOSFET Super Junction Power N-Channel di STMicroelectronics è un dispositivo di potenza ad alta efficienza basato sulla tecnologia Advanced MDmesh M9 Super Junction. È progettato per applicazioni a media o alta tensione in cui le basse perdite di conduzione e la commutazione rapida sono fondamentali.

FOM molto bassa

Maggiore capacità dv/dt

Eccellenti prestazioni di commutazione

Prodotto testato al 100% contro le scariche disruptive a valanga

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