MOSFET di potenza STMicroelectronics, canale Canale N 650 V, 50 mΩ N, 35 A, 5 Pin, PowerFlat HV, Superficie

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Codice RS:
762-551
Codice costruttore:
ST8L65N050DM9
Costruttore:
STMicroelectronics
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Marchio

STMicroelectronics

Tipo di canale

Canale N

Tipo prodotto

MOSFET di potenza

Massima corrente di scarico continua Id

35A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

650V

Serie

ST8L65N0

Tipo di package

PowerFlat HV

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

5

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

50mΩ

Modalità canale

N

Minima temperatura operativa

-55°C

Dissipazione di potenza massima Pd

167W

Tensione diretta Vf

1.6V

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

30V

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

107nC

Temperatura massima di funzionamento

150°C

Larghezza

8.1mm

Standard/Approvazioni

RoHS Compliant

Lunghezza

8.1mm

Altezza

0.95mm

Standard automobilistico

No

Paese di origine:
CN
Il MOSFET Super Junction Power N-Channel di STMicroelectronics è un dispositivo di potenza ad alta efficienza basato sulla tecnologia Advanced MDmesh M9 Super Junction. È progettato per applicazioni a media o alta tensione in cui le basse perdite di conduzione e la commutazione rapida sono fondamentali.

FOM molto bassa

Maggiore capacità dv/dt

Eccellenti prestazioni di commutazione

Prodotto testato al 100% contro le scariche disruptive a valanga

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