MOSFET STMicroelectronics, canale Tipo N 600 V, 1.5 Ω Miglioramento, 2.2 A, 8 Pin, PowerFLAT (3,3 x 3,3) HV STL3NM60N

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Codice RS:
151-422
Codice costruttore:
STL3NM60N
Costruttore:
STMicroelectronics
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Marchio

STMicroelectronics

Tipo di canale

Tipo N

Tipo prodotto

MOSFET

Massima corrente di scarico continua Id

2.2A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

600V

Serie

MDmesh II

Tipo di package

PowerFLAT (3,3 x 3,3) HV

Numero pin

8

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

1.5Ω

Modalità canale

Miglioramento

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

25 V

Dissipazione di potenza massima Pd

22W

Minima temperatura operativa

-55°C

Tensione diretta Vf

1.6V

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

9.5nC

Temperatura massima di funzionamento

150°C

Standard/Approvazioni

No

Standard automobilistico

No

Paese di origine:
MY
Il MOSFET di potenza STMicroelectronics è sviluppato utilizzando la tecnologia MDmesh di seconda generazione. Questo rivoluzionario MOSFET di potenza associa una struttura verticale al layout della striscia aziendale per produrre una delle resistenze più basse al mondo. È quindi adatto per i convertitori ad alta efficienza più esigenti.

Prodotto testato al 100% contro le scariche disruptive a valanga

Bassa capacità di ingresso e carica del gate

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