MOSFET STMicroelectronics, canale Tipo N 600 V, 660 mΩ Miglioramento, 5.5 A, 8 Pin, PowerFLAT, Superficie

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Codice RS:
192-4656
Codice costruttore:
STL10N60M6
Costruttore:
STMicroelectronics
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Marchio

STMicroelectronics

Tipo di canale

Tipo N

Tipo prodotto

MOSFET

Massima corrente di scarico continua Id

5.5A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

600V

Tipo di package

PowerFLAT

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

8

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

660mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Tensione diretta Vf

1.6V

Minima temperatura operativa

-55°C

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

8.8nC

Dissipazione di potenza massima Pd

48W

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

25 V

Temperatura massima di funzionamento

150°C

Lunghezza

6mm

Standard/Approvazioni

No

Larghezza

5 mm

Altezza

0.95mm

Standard automobilistico

No

Paese di origine:
CN
La nuova tecnologia MDmesh™ M6 incorpora i più recenti progressi nella ben nota e consolidata famiglia MDmesh di MOSFET SJ. La STMicroelectronics si basa sulla generazione precedente di dispositivi MDmesh attraverso la sua nuova tecnologia M6, che combina un eccellente RDS(on) per area di miglioramento con uno dei comportamenti di commutazione più efficaci disponibili, nonché un'esperienza di facile utilizzo per la massima efficienza delle applicazioni finali.

Perdite di commutazione ridotte

RDS(ON) inferiore per area rispetto alla generazione precedente

Bassa resistenza di ingresso del gate

Protezione Zener

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