MOSFET STMicroelectronics, canale Tipo N 600 V, 660 mΩ Miglioramento, 5.5 A, 8 Pin, PowerFLAT, Superficie STL10N60M6

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Opzioni di confezione:
Codice RS:
192-4825
Codice costruttore:
STL10N60M6
Costruttore:
STMicroelectronics
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Marchio

STMicroelectronics

Tipo prodotto

MOSFET

Tipo di canale

Tipo N

Massima corrente di scarico continua Id

5.5A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

600V

Tipo di package

PowerFLAT

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

8

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

660mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

8.8nC

Dissipazione di potenza massima Pd

48W

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

25 V

Tensione diretta Vf

1.6V

Minima temperatura operativa

-55°C

Temperatura massima di funzionamento

150°C

Altezza

0.95mm

Standard/Approvazioni

No

Lunghezza

6mm

Larghezza

5 mm

Standard automobilistico

No

Paese di origine:
CN
La nuova tecnologia MDmesh™ M6 incorpora i più recenti progressi nella ben nota e consolidata famiglia MDmesh di MOSFET SJ. La STMicroelectronics si basa sulla generazione precedente di dispositivi MDmesh attraverso la sua nuova tecnologia M6, che combina un eccellente RDS(on) per area di miglioramento con uno dei comportamenti di commutazione più efficaci disponibili, nonché un'esperienza di facile utilizzo per la massima efficienza delle applicazioni finali.

Perdite di commutazione ridotte

RDS(ON) inferiore per area rispetto alla generazione precedente

Bassa resistenza di ingresso del gate

Protezione Zener

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