MOSFET singoli STMicroelectronics, canale N 600 V, 65 mΩ Miglioramento, 39 A, 5 Pin, PowerFLAT, Superficie ST8L60N065DM9

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Codice RS:
648-108
Codice costruttore:
ST8L60N065DM9
Costruttore:
STMicroelectronics
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Marchio

STMicroelectronics

Tipo di canale

N

Tipo prodotto

MOSFET singoli

Massima corrente di scarico continua Id

39A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

600V

Tipo di package

PowerFLAT

Serie

ST8L60

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

5

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

65mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Minima temperatura operativa

-55°C

Dissipazione di potenza massima Pd

202W

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

66nC

Tensione diretta Vf

1.6V

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

30V

Temperatura massima di funzionamento

150°C

Larghezza

8.1mm

Standard/Approvazioni

No

Altezza

950μm

Lunghezza

8.1mm

Standard automobilistico

No

Paese di origine:
CN
Il MOSFET di potenza a canale N STMicroelectronics è basato sulla più innovativa tecnologia MDmesh DM9 a supergiunzione, adatta per i MOSFET a media/alta tensione con RDS(on) molto basso per area accoppiato con un diodo a recupero rapido. La tecnologia DM9 basata sul silicio beneficia di un processo di produzione multi-drain che consente di migliorare la struttura del dispositivo. Il diodo a recupero rapido con carica di recupero molto bassa (Qrr), tempo (trr) e RDS(on) rende questo MOSFET di potenza a supergiunzione a commutazione rapida su misura per le topologie di ponte ad alta efficienza più esigenti e i convertitori a spostamento di fase ZVS.

Bassa carica del gate

Bassa capacità e resistenza di ingresso

Prodotto testato al 100% contro le scariche disruptive a valanga

Eccellenti prestazioni di commutazione

Contenitore PowerFLAT 8x8 HV

Conforme alla direttiva RoHS

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