Singolo MOSFET RF STMicroelectronics, canale Tipo N, 2.5 A 40 V, PowerFLAT, Superficie Miglioramento, 14 Pin
- Codice RS:
- 920-9026
- Codice costruttore:
- PD55003L-E
- Costruttore:
- STMicroelectronics
Prezzo per 1 bobina da 3000 unità*
16.245,00 €
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Unità | Per unità | Per bobina* |
|---|---|---|
| 3000 + | 5,415 € | 16.245,00 € |
*prezzo indicativo
- Codice RS:
- 920-9026
- Codice costruttore:
- PD55003L-E
- Costruttore:
- STMicroelectronics
Specifiche
Documentazione Tecnica
Normative
Dettagli prodotto
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Seleziona tutto | Attributo | Valore |
|---|---|---|
| Marchio | STMicroelectronics | |
| Frequenza | 500 MHz | |
| Tipo di canale | Tipo N | |
| Tipo prodotto | MOSFET RF | |
| Massima corrente di scarico continua Id | 2.5A | |
| Tensione massima della sorgente di scarico Vds | 40V | |
| Serie | PD55003L-E | |
| Tipo di package | PowerFLAT | |
| Tipo montaggio | Superficie | |
| Numero pin | 14 | |
| Modalità canale | Miglioramento | |
| Minima temperatura operativa | 150°C | |
| Temperatura massima di funzionamento | -65°C | |
| Configurazione transistor | Singolo | |
| Standard/Approvazioni | No | |
| Lunghezza | 5mm | |
| Larghezza | 5 mm | |
| Altezza | 0.88mm | |
| Guadagno potenza tipico | 19dB | |
| Standard automobilistico | No | |
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|---|---|---|
Marchio STMicroelectronics | ||
Frequenza 500 MHz | ||
Tipo di canale Tipo N | ||
Tipo prodotto MOSFET RF | ||
Massima corrente di scarico continua Id 2.5A | ||
Tensione massima della sorgente di scarico Vds 40V | ||
Serie PD55003L-E | ||
Tipo di package PowerFLAT | ||
Tipo montaggio Superficie | ||
Numero pin 14 | ||
Modalità canale Miglioramento | ||
Minima temperatura operativa 150°C | ||
Temperatura massima di funzionamento -65°C | ||
Configurazione transistor Singolo | ||
Standard/Approvazioni No | ||
Lunghezza 5mm | ||
Larghezza 5 mm | ||
Altezza 0.88mm | ||
Guadagno potenza tipico 19dB | ||
Standard automobilistico No | ||
Transistor MOSFET RF, STMicroelectronics
I transistor a radio frequenza sono LDMOS adatti per uplink satellitari in banda L e transistor di potenza DMOS in applicazioni che vanno da 1 MHz a 2 GHz.
Transistor MOSFET, STMicroelectronics
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