1 MOSFET STMicroelectronics Singolo, canale Tipo N, 25 mΩ, 40 A 30 V, PowerFLAT, Superficie Miglioramento, 8 Pin
- Codice RS:
- 188-8491
- Codice costruttore:
- STL40DN3LLH5
- Costruttore:
- STMicroelectronics
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- Codice RS:
- 188-8491
- Codice costruttore:
- STL40DN3LLH5
- Costruttore:
- STMicroelectronics
Specifiche
Documentazione Tecnica
Normative
Dettagli prodotto
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Seleziona tutto | Attributo | Valore |
|---|---|---|
| Marchio | STMicroelectronics | |
| Tipo di canale | Tipo N | |
| Tipo prodotto | MOSFET | |
| Massima corrente di scarico continua Id | 40A | |
| Tensione massima della sorgente di scarico Vds | 30V | |
| Serie | STripFET | |
| Tipo di package | PowerFLAT | |
| Tipo montaggio | Superficie | |
| Numero pin | 8 | |
| Resistenza massima della sorgente di scarico Rds | 25mΩ | |
| Modalità canale | Miglioramento | |
| Tensione diretta Vf | 1.1V | |
| Minima temperatura operativa | -55°C | |
| Carica tipica del gate Qg @ Vgs | 4.5nC | |
| Dissipazione di potenza massima Pd | 50W | |
| Temperatura massima di funzionamento | 175°C | |
| Configurazione transistor | Singolo | |
| Altezza | 0.95mm | |
| Lunghezza | 6.2mm | |
| Standard/Approvazioni | No | |
| Numero elementi per chip | 1 | |
| Standard automobilistico | AEC-Q101 | |
| Seleziona tutto | ||
|---|---|---|
Marchio STMicroelectronics | ||
Tipo di canale Tipo N | ||
Tipo prodotto MOSFET | ||
Massima corrente di scarico continua Id 40A | ||
Tensione massima della sorgente di scarico Vds 30V | ||
Serie STripFET | ||
Tipo di package PowerFLAT | ||
Tipo montaggio Superficie | ||
Numero pin 8 | ||
Resistenza massima della sorgente di scarico Rds 25mΩ | ||
Modalità canale Miglioramento | ||
Tensione diretta Vf 1.1V | ||
Minima temperatura operativa -55°C | ||
Carica tipica del gate Qg @ Vgs 4.5nC | ||
Dissipazione di potenza massima Pd 50W | ||
Temperatura massima di funzionamento 175°C | ||
Configurazione transistor Singolo | ||
Altezza 0.95mm | ||
Lunghezza 6.2mm | ||
Standard/Approvazioni No | ||
Numero elementi per chip 1 | ||
Standard automobilistico AEC-Q101 | ||
Questo dispositivo è un MOSFET di potenza a canale N sviluppato utilizzando la tecnologia STripFET™ H5 di STMicroelectronics. Il dispositivo è stato ottimizzato per ottenere una resistenza allo stato attivo molto bassa, contribuendo ad un FOM tra i migliori della sua categoria.
Bassa resistenza in stato attivo
Elevata resistenza alle valanghe
Bassa perdita di potenza del comando del portellone
Pacchetto fianco bagnabile
Applications
Applicazioni di commutazione
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