Transistor MOSFET STMicroelectronics, canale N, 110 mΩ, 25 A, PowerFLAT 8 x 8 HV, Montaggio superficiale

Questo MOSFET di potenza a canale N ad alta tensione fa parte della serie di diodi a recupero rapido MDmesh™ DM6. Rispetto alla generazione veloce MDmesh precedente, DM6 combina una carica di recupero molto bassa (Qrr), un tempo di recupero (trr) ed un eccellente miglioramento in RDS(ON) per area con un efficace comportamento di commutazione per le topologie a ponte ad alta efficienza più esigenti e i convertitori a sfasamento ZVS.

Diodo corpo a recupero rapido
RDS(ON) inferiore per area rispetto alla generazione precedente
Bassa carica del gate, capacità di ingresso e resistenza

Robustezza dv/dt estremamente elevata
Protezione Zener