MOSFET STMicroelectronics, canale Tipo N 600 V, 110 mΩ Miglioramento, 25 A, 5 Pin, PowerFLAT, Superficie

Visualizza MOSFET

Prezzo per 1 bobina da 3000 unità*

11.001,00 €

(IVA esclusa)

13.422,00 €

(IVA inclusa)

Add to Basket
Selezionare o digitare la quantità
Temporaneamente esaurito
  • Spedizione a partire dal 04 gennaio 2027
Te ne servono di più? Inserisci la nuova quantità e clicca su "Controlla le date di consegna".
Unità
Per unità
Per bobina*
3000 +3,667 €11.001,00 €

*prezzo indicativo

Codice RS:
192-4659
Codice costruttore:
STL45N60DM6
Costruttore:
STMicroelectronics
Trova prodotti simili selezionando uno o più attributi.
Seleziona tutto

Marchio

STMicroelectronics

Tipo prodotto

MOSFET

Tipo di canale

Tipo N

Massima corrente di scarico continua Id

25A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

600V

Tipo di package

PowerFLAT

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

5

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

110mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Tensione diretta Vf

1.5V

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

25 V

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

44nC

Dissipazione di potenza massima Pd

160W

Minima temperatura operativa

-55°C

Temperatura massima di funzionamento

150°C

Altezza

0.9mm

Lunghezza

8.1mm

Larghezza

8.1 mm

Standard/Approvazioni

No

Standard automobilistico

No

Paese di origine:
CN
Questo MOSFET di potenza a canale N ad alta tensione fa parte della serie di diodi a recupero rapido MDmesh™ DM6. Rispetto alla generazione veloce MDmesh precedente, DM6 combina una carica di recupero molto bassa (Qrr), un tempo di recupero (trr) ed un eccellente miglioramento in RDS(ON) per area con un efficace comportamento di commutazione per le topologie a ponte ad alta efficienza più esigenti e i convertitori a sfasamento ZVS.

Diodo corpo a recupero rapido

RDS(ON) inferiore per area rispetto alla generazione precedente

Bassa carica del gate, capacità di ingresso e resistenza

Robustezza dv/dt estremamente elevata

Protezione Zener

Link consigliati