MOSFET STMicroelectronics, canale Tipo N 600 V, 110 mΩ Miglioramento, 25 A, 5 Pin, PowerFLAT, Superficie

Visualizza MOSFET
Al momento non disponibile
Non sappiamo se questo articolo tornerà in stock, RS intende rimuoverlo a breve dall'assortimento.
Codice RS:
192-4659
Codice costruttore:
STL45N60DM6
Costruttore:
STMicroelectronics
Trova prodotti simili selezionando uno o più attributi.
Seleziona tutto

Marchio

STMicroelectronics

Tipo prodotto

MOSFET

Tipo di canale

Tipo N

Massima corrente di scarico continua Id

25A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

600V

Tipo di package

PowerFLAT

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

5

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

110mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

44nC

Minima temperatura operativa

-55°C

Dissipazione di potenza massima Pd

160W

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

25 V

Tensione diretta Vf

1.5V

Temperatura massima di funzionamento

150°C

Altezza

0.9mm

Standard/Approvazioni

No

Larghezza

8.1 mm

Lunghezza

8.1mm

Standard automobilistico

No

Paese di origine:
CN
Questo MOSFET di potenza a canale N ad alta tensione fa parte della serie di diodi a recupero rapido MDmesh™ DM6. Rispetto alla generazione veloce MDmesh precedente, DM6 combina una carica di recupero molto bassa (Qrr), un tempo di recupero (trr) ed un eccellente miglioramento in RDS(ON) per area con un efficace comportamento di commutazione per le topologie a ponte ad alta efficienza più esigenti e i convertitori a sfasamento ZVS.

Diodo corpo a recupero rapido

RDS(ON) inferiore per area rispetto alla generazione precedente

Bassa carica del gate, capacità di ingresso e resistenza

Robustezza dv/dt estremamente elevata

Protezione Zener