MOSFET STMicroelectronics, canale Tipo N 600 V, 1.5 Ω Miglioramento, 2.2 A, 8 Pin, PowerFLAT (3,3 x 3,3) HV STL3NM60N

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Opzioni di confezione:
Codice RS:
151-423
Codice costruttore:
STL3NM60N
Costruttore:
STMicroelectronics
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Marchio

STMicroelectronics

Tipo prodotto

MOSFET

Tipo di canale

Tipo N

Massima corrente di scarico continua Id

2.2A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

600V

Tipo di package

PowerFLAT (3,3 x 3,3) HV

Serie

MDmesh II

Numero pin

8

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

1.5Ω

Modalità canale

Miglioramento

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

25 V

Dissipazione di potenza massima Pd

22W

Minima temperatura operativa

-55°C

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

9.5nC

Tensione diretta Vf

1.6V

Temperatura massima di funzionamento

150°C

Standard/Approvazioni

No

Standard automobilistico

No

Paese di origine:
MY
Il MOSFET di potenza STMicroelectronics è sviluppato utilizzando la tecnologia MDmesh di seconda generazione. Questo rivoluzionario MOSFET di potenza associa una struttura verticale al layout della striscia aziendale per produrre una delle resistenze più basse al mondo. È quindi adatto per i convertitori ad alta efficienza più esigenti.

Prodotto testato al 100% contro le scariche disruptive a valanga

Bassa capacità di ingresso e carica del gate

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