MOSFET STMicroelectronics, canale Tipo N 600 V, 308 mΩ, 11 A, 5 Pin, PowerFlat HV, Superficie STL19N60M6

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Opzioni di confezione:
Codice RS:
203-3439
Codice costruttore:
STL19N60M6
Costruttore:
STMicroelectronics
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Marchio

STMicroelectronics

Tipo di canale

Tipo N

Tipo prodotto

MOSFET

Massima corrente di scarico continua Id

11A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

600V

Serie

M6

Tipo di package

PowerFlat HV

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

5

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

308mΩ

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

16.8nC

Minima temperatura operativa

-55°C

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

25 V

Dissipazione di potenza massima Pd

90W

Temperatura massima di funzionamento

175°C

Altezza

8.1mm

Lunghezza

8.1mm

Larghezza

0.95 mm

Standard/Approvazioni

No

Standard automobilistico

No

Paese di origine:
CN
Il MOSFET di potenza MDmesh M6 a canale N STMicroelectronics incorpora i più recenti progressi nella nota e consolidata famiglia MDmesh di MOSFET SJ. La generazione precedente di dispositivi MDmesh tramite la nuova tecnologia M6 è stata realizzata da STMicroelectronics. Ciò combina un'eccellente RDS(ON) per miglioramento dell'area con uno dei comportamenti di commutazione più efficaci disponibili, nonché un'esperienza facile da usare per la massima efficienza delle applicazioni finali.

Perdite di commutazione ridotte

Bassa resistenza di ingresso gate

Testato con effetto valanga al 100%

Protezione Zener

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