MOSFET STMicroelectronics, canale N 650 V, 58 mΩ Miglioramento, 30 A, 4 Pin, Hip-247-4, Foro passante SCT055W65G3-4AG

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Codice RS:
215-236
Codice costruttore:
SCT055W65G3-4AG
Costruttore:
STMicroelectronics
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Marchio

STMicroelectronics

Tipo di canale

N

Tipo prodotto

MOSFET

Massima corrente di scarico continua Id

30A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

650V

Tipo di package

Hip-247-4

Serie

SCT

Tipo montaggio

Foro passante

Numero pin

4

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

58mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

32nC

Dissipazione di potenza massima Pd

210W

Minima temperatura operativa

-55°C

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

22V

Temperatura massima di funzionamento

200°C

Standard/Approvazioni

AEC-Q101

Standard automobilistico

AEC-Q101

Paese di origine:
CN
Il dispositivo MOSFET di potenza al carburo di silicio della STMicroelectronics è stato sviluppato utilizzando l'avanzata e innovativa tecnologia SiC MOSFET di terza generazione della ST. Il dispositivo è caratterizzato da un RDS(on) molto basso sull'intera gamma di temperature combinato con basse capacità e operazioni di commutazione molto elevate, che migliorano le prestazioni dell'applicazione in termini di frequenza, efficienza energetica, dimensioni del sistema e riduzione del peso.

Prestazioni di commutazione ad alta velocità

Diodo a corpo intrinseco molto veloce e robusto

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