Modulo di potenza SiC Semikron Danfoss 1200 V, 7.2 mΩ, 267 A, SEMITOP E2, Foro passante SK250MB120CR03TE2
- Codice RS:
- 351-860
- Codice costruttore:
- SK250MB120CR03TE2
- Costruttore:
- Semikron Danfoss
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- 351-860
- Codice costruttore:
- SK250MB120CR03TE2
- Costruttore:
- Semikron Danfoss
Specifiche
Documentazione Tecnica
Normative
Dettagli prodotto
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Seleziona tutto | Attributo | Valore |
|---|---|---|
| Marchio | Semikron Danfoss | |
| Tipo prodotto | Modulo di potenza SiC | |
| Massima corrente di scarico continua Id | 267A | |
| Tensione massima della sorgente di scarico Vds | 1200V | |
| Tipo di package | SEMITOP E2 | |
| Serie | SEMITOP | |
| Tipo montaggio | Foro passante | |
| Resistenza massima della sorgente di scarico Rds | 7.2mΩ | |
| Tensione diretta Vf | 4.6V | |
| Carica tipica del gate Qg @ Vgs | 708nC | |
| Tensione massima della sorgente del cancello Vgs | 15 V | |
| Minima temperatura operativa | -40°C | |
| Temperatura massima di funzionamento | 175°C | |
| Standard/Approvazioni | IEC 60747-1, UL | |
| Altezza | 12mm | |
| Larghezza | 57 mm | |
| Lunghezza | 63mm | |
| Standard automobilistico | No | |
| Seleziona tutto | ||
|---|---|---|
Marchio Semikron Danfoss | ||
Tipo prodotto Modulo di potenza SiC | ||
Massima corrente di scarico continua Id 267A | ||
Tensione massima della sorgente di scarico Vds 1200V | ||
Tipo di package SEMITOP E2 | ||
Serie SEMITOP | ||
Tipo montaggio Foro passante | ||
Resistenza massima della sorgente di scarico Rds 7.2mΩ | ||
Tensione diretta Vf 4.6V | ||
Carica tipica del gate Qg @ Vgs 708nC | ||
Tensione massima della sorgente del cancello Vgs 15 V | ||
Minima temperatura operativa -40°C | ||
Temperatura massima di funzionamento 175°C | ||
Standard/Approvazioni IEC 60747-1, UL | ||
Altezza 12mm | ||
Larghezza 57 mm | ||
Lunghezza 63mm | ||
Standard automobilistico No | ||
- Paese di origine:
- IT
Il semiponte MOSFET WS SiC di Semikron ha una corrente nominale di 267 A ed è semplice da pilotare con una tensione di gate di +15V. Offre una stabilità di commutazione ottimizzata grazie alle resistenze di gate integrate nel modulo e include un sensore di temperatura NTC integrato per un monitoraggio termico efficiente. Riconosciuto UL con il numero di fascicolo E63532. E63532.
Design ottimizzato per prestazioni termiche superiori
Design a bassissima induttanza
Tecnologia di contatto Press Fit
mOSFET SiC Gen3 planare da 1200 V
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