MOSFET Nexperia, canale N, 90 mΩ, 3 A, SOT-223, Montaggio superficiale

Codice RS:: 509-576
Codice costruttore:: PHT6NQ10T,135
Costruttore:: Nexperia

MOSFET Nexperia, canale N, 90 mΩ, 3 A, SOT-223, Montaggio superficiale

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Codice RS:: 509-576
Codice costruttore:: PHT6NQ10T,135
Costruttore:: Nexperia

N-Ch. TRENCHMOS,55V,PHT6NQ10T
ESD Control Selection Guide V1

Attributo	Valore
Tipo di canale	N
Corrente massima continuativa di drain	3 A
Tensione massima drain source	100 V
Tipo di package	SOT-223
Tipo di montaggio	Montaggio superficiale
Numero pin	3
Resistenza massima drain source	90 mΩ
Modalità del canale	Enhancement
Tensione di soglia gate massima	4V
Tensione di soglia gate minima	2V
Dissipazione di potenza massima	1,8 W
Configurazione transistor	Singolo
Tensione massima gate source	-20 V, +20 V
Materiale del transistor	Si
Massima temperatura operativa	+150 °C
Numero di elementi per chip	1
Larghezza	3.7mm
Carica gate tipica @ Vgs	21 nC a 10 V
Lunghezza	6.7mm
Altezza	1.7mm
Minima temperatura operativa	-65 °C

MOSFET Nexperia, canale N, 90 mΩ, 3 A, SOT-223, Montaggio superficiale

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MOSFET a canale N, oltre 100 V, Nexperia

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