MOSFET Nexperia, canale N, 7,7 mΩ, 90 A, LFPAK, SOT-669, Montaggio superficiale

Codice RS:: 166-0115
Codice costruttore:: PSMN5R8-40YS,115
Costruttore:: Nexperia

MOSFET Nexperia, canale N, 7,7 mΩ, 90 A, LFPAK, SOT-669, Montaggio superficiale

14970 Disponibile per la consegna entro 4 giorni lavorativi, per ordini effettuati entro le 19:00 (magazzini in Europa)

Prezzo per Unità (Su Bobina da 1500)

0,53 €

(IVA esclusa)

0,65 €

(IVA inclusa)

Unità	Per unità	Per bobina*
1500 +	0,53 €	795,00 €

*prezzo indicativo

Codice RS:: 166-0115
Codice costruttore:: PSMN5R8-40YS,115
Costruttore:: Nexperia

Documentazione Tecnica

Normative

Paese di origine:: PH

Dettagli prodotto

MOSFET a canale N, da 40 V a 55 V.

Transistor MOSFET, NXP Semiconductors

Specifiche

Attributo	Valore
Tipo di canale	N
Corrente massima continuativa di drain	90 A
Tensione massima drain source	40 V
Tipo di package	LFPAK, SOT-669
Tipo di montaggio	Montaggio superficiale
Numero pin	4
Resistenza massima drain source	7,7 mΩ
Modalità del canale	Enhancement
Tensione di soglia gate massima	4V
Tensione di soglia gate minima	2V
Dissipazione di potenza massima	89 W
Configurazione transistor	Singolo
Tensione massima gate source	-20 V, +20 V
Numero di elementi per chip	1
Massima temperatura operativa	+175 °C
Larghezza	4.1mm
Materiale del transistor	Si
Carica gate tipica @ Vgs	28,8 nC a 10 V
Lunghezza	5mm
Altezza	1.1mm
Minima temperatura operativa	-55 °C