MOSFET Nexperia, canale Tipo N 40 V, 3.7 mΩ Miglioramento, 100 A, 4 Pin, SOT-669, Superficie PSMN2R6-40YS,115

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Opzioni di confezione:
Codice RS:
798-2937
Codice costruttore:
PSMN2R6-40YS,115
Costruttore:
Nexperia
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Marchio

Nexperia

Tipo prodotto

MOSFET

Tipo di canale

Tipo N

Massima corrente di scarico continua Id

100A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

40V

Tipo di package

SOT-669

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

4

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

3.7mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

20 V

Dissipazione di potenza massima Pd

131W

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

63nC

Minima temperatura operativa

-55°C

Temperatura massima di funzionamento

175°C

Lunghezza

5mm

Larghezza

4.1 mm

Altezza

1.1mm

Standard/Approvazioni

No

Standard automobilistico

No

MOSFET a canale N, da 40 V a 55 V.


Transistor MOSFET, NXP Semiconductors


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