MOSFET singoli Microchip, canale Canale N FET DMOS 500 V, 10 Ω Modalità di esaurimento, 350 mA, 3 Pin, TO-252 (D-PAK-3),

I transistor a modalità di esaurimento a soglia bassa (normalmente on) Microchip utilizzano una struttura DMOS verticale avanzata e un processo di fabbricazione collaudato con gate al silicio. Questa combinazione produce dispositivi con le capacità di gestione dell'alimentazione dei transistor bipolari e con l'elevata impedenza di ingresso e il coefficiente di temperatura positivo inerenti ai dispositivi MOS. Caratteristiche di tutte le strutture MOS, questi dispositivi sono privi di fuga termica e rottura secondaria indotta termicamente. I FET DMOS verticali sono ideali per un'ampia gamma di applicazioni di commutazione e amplificazione che richiedono una tensione di soglia molto bassa, un'elevata tensione di scarica, un'elevata impedenza di ingresso, una bassa capacità di ingresso e rapidità di commutazione.

Impedenza di ingresso elevata