MOSFET singoli Microchip, canale Canale N FET DMOS 90 V, 3 Ω Modalità di potenziamento, 350 mA, 3 Pin, TO-92-3
- Codice RS:
- 598-665
- Codice costruttore:
- VN2460N3-G
- Costruttore:
- Microchip
Prezzo per 1 sacchetto da 1000 unità*
964,00 €
(IVA esclusa)
1176,00 €
(IVA inclusa)
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Unità | Per unità | Per Sacchetto* |
|---|---|---|
| 1000 + | 0,964 € | 964,00 € |
*prezzo indicativo
- Codice RS:
- 598-665
- Codice costruttore:
- VN2460N3-G
- Costruttore:
- Microchip
Specifiche
Documentazione Tecnica
Normative
Dettagli prodotto
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Seleziona tutto | Attributo | Valore |
|---|---|---|
| Marchio | Microchip | |
| Tipo di canale | Canale N FET DMOS | |
| Tipo prodotto | MOSFET singoli | |
| Massima corrente di scarico continua Id | 350mA | |
| Tensione massima della sorgente di scarico Vds | 90V | |
| Serie | VN2460 | |
| Tipo di package | TO-92-3 (TO-226AA) | |
| Tipo montaggio | Foro passante | |
| Numero pin | 3 | |
| Resistenza massima della sorgente di scarico Rds | 3Ω | |
| Modalità canale | Modalità di potenziamento | |
| Tensione massima della sorgente del cancello Vgs | 20 V | |
| Dissipazione di potenza massima Pd | 1W | |
| Minima temperatura operativa | -55°C | |
| Tensione diretta Vf | 1.8V | |
| Temperatura massima di funzionamento | 150°C | |
| Standard/Approvazioni | RoHS Compliant | |
| Lunghezza | 5.08mm | |
| Larghezza | 4.19 mm | |
| Altezza | 5.33mm | |
| Standard automobilistico | No | |
| Seleziona tutto | ||
|---|---|---|
Marchio Microchip | ||
Tipo di canale Canale N FET DMOS | ||
Tipo prodotto MOSFET singoli | ||
Massima corrente di scarico continua Id 350mA | ||
Tensione massima della sorgente di scarico Vds 90V | ||
Serie VN2460 | ||
Tipo di package TO-92-3 (TO-226AA) | ||
Tipo montaggio Foro passante | ||
Numero pin 3 | ||
Resistenza massima della sorgente di scarico Rds 3Ω | ||
Modalità canale Modalità di potenziamento | ||
Tensione massima della sorgente del cancello Vgs 20 V | ||
Dissipazione di potenza massima Pd 1W | ||
Minima temperatura operativa -55°C | ||
Tensione diretta Vf 1.8V | ||
Temperatura massima di funzionamento 150°C | ||
Standard/Approvazioni RoHS Compliant | ||
Lunghezza 5.08mm | ||
Larghezza 4.19 mm | ||
Altezza 5.33mm | ||
Standard automobilistico No | ||
- Paese di origine:
- PH
Il transistor MOSFET verticale in modalità di potenziamento a canale N Microchip è un transistor normalmente spento che utilizza una struttura DMOS verticale e un collaudato processo di fabbricazione con gate al silicio. Questa combinazione fornisce le capacità di gestione della potenza dei transistor bipolari, offrendo al contempo l'elevata impedenza di ingresso e il coefficiente di temperatura positivo tipici dei dispositivi MOS. Come per tutte le strutture MOS, il dispositivo è privo di fuga termica e rottura secondaria indotta termicamente, garantendo prestazioni affidabili anche in condizioni difficili.
Privo di scarica secondaria
Basso requisito di potenza di azionamento
Facilità di collegamento in parallelo
Eccellente stabilità termica
Diodo di drenaggio sorgente integrato
Elevata impedenza di ingresso ed elevato guadagno