MOSFET singoli Microchip, canale Canale N FET DMOS 500 V, 10 Ω Modalità di esaurimento, 350 mA, 3 Pin, TO-252 (D-PAK-3),
- Codice RS:
- 598-869
- Codice costruttore:
- DN3545N8-G
- Costruttore:
- Microchip
Prezzo per 1 bobina da 2000 unità*
1858,00 €
(IVA esclusa)
2266,00 €
(IVA inclusa)
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Unità | Per unità | Per bobina* |
|---|---|---|
| 2000 + | 0,929 € | 1.858,00 € |
*prezzo indicativo
- Codice RS:
- 598-869
- Codice costruttore:
- DN3545N8-G
- Costruttore:
- Microchip
Specifiche
Documentazione Tecnica
Normative
Dettagli prodotto
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Seleziona tutto | Attributo | Valore |
|---|---|---|
| Marchio | Microchip | |
| Tipo prodotto | MOSFET singoli | |
| Tipo di canale | Canale N FET DMOS | |
| Massima corrente di scarico continua Id | 350mA | |
| Tensione massima della sorgente di scarico Vds | 500V | |
| Serie | DN3545 | |
| Tipo di package | TO-252 (D-PAK-3) | |
| Tipo montaggio | Superficie | |
| Numero pin | 3 | |
| Resistenza massima della sorgente di scarico Rds | 10Ω | |
| Modalità canale | Modalità di esaurimento | |
| Tensione diretta Vf | 1.8V | |
| Tensione massima della sorgente del cancello Vgs | 20 V | |
| Dissipazione di potenza massima Pd | 2.5W | |
| Minima temperatura operativa | -55°C | |
| Temperatura massima di funzionamento | 150°C | |
| Lunghezza | 4.4mm | |
| Standard/Approvazioni | RoHS, ISO/TS‑16949 | |
| Altezza | 2.29mm | |
| Larghezza | 3 mm | |
| Standard automobilistico | No | |
| Seleziona tutto | ||
|---|---|---|
Marchio Microchip | ||
Tipo prodotto MOSFET singoli | ||
Tipo di canale Canale N FET DMOS | ||
Massima corrente di scarico continua Id 350mA | ||
Tensione massima della sorgente di scarico Vds 500V | ||
Serie DN3545 | ||
Tipo di package TO-252 (D-PAK-3) | ||
Tipo montaggio Superficie | ||
Numero pin 3 | ||
Resistenza massima della sorgente di scarico Rds 10Ω | ||
Modalità canale Modalità di esaurimento | ||
Tensione diretta Vf 1.8V | ||
Tensione massima della sorgente del cancello Vgs 20 V | ||
Dissipazione di potenza massima Pd 2.5W | ||
Minima temperatura operativa -55°C | ||
Temperatura massima di funzionamento 150°C | ||
Lunghezza 4.4mm | ||
Standard/Approvazioni RoHS, ISO/TS‑16949 | ||
Altezza 2.29mm | ||
Larghezza 3 mm | ||
Standard automobilistico No | ||
I transistor in modalità di esaurimento Microchip utilizzano una struttura DMOS verticale avanzata e un processo di fabbricazione collaudato con gate al silicio. Questa combinazione produce dispositivi con le capacità di gestione dell'alimentazione dei transistor bipolari e con l'elevata impedenza di ingresso e il coefficiente di temperatura positivo inerenti ai dispositivi MOS. Caratteristiche di tutte le strutture MOS, questi dispositivi sono privi di fuga termica e rottura secondaria indotta termicamente. I FET DMOS verticali sono ideali per un'ampia gamma di applicazioni di commutazione e amplificazione che richiedono un'elevata tensione di scarica, un'elevata impedenza di ingresso, una bassa capacità di ingresso e rapidità di commutazione.
Impedenza di ingresso elevata
Bassa capacità di ingresso
Velocità di commutazione rapide
Bassa resistenza in stato attivo
Privo di scarica secondaria
Bassa perdita in ingresso e in uscita