MOSFET singoli Microchip, canale Canale N FET DMOS 9 V, 1.4 Ω Modalità di esaurimento, 350 mA, 5 Pin, SOT-23-5,

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Codice RS:
598-897
Codice costruttore:
LND01K1-G
Costruttore:
Microchip
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Marchio

Microchip

Tipo di canale

Canale N FET DMOS

Tipo prodotto

MOSFET singoli

Massima corrente di scarico continua Id

350mA

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

9V

Serie

LND01

Tipo di package

SOT-23-5

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

5

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

1.4Ω

Modalità canale

Modalità di esaurimento

Minima temperatura operativa

-25°C

Tensione diretta Vf

1.8V

Dissipazione di potenza massima Pd

360mW

Temperatura massima di funzionamento

125°C

Lunghezza

3.05mm

Standard/Approvazioni

ISO/TS‑16949, RoHS

Altezza

1.3mm

Standard automobilistico

No

Il transistor MOSFET a modalità di esaurimento Microchip è un transistor a bassa soglia a modalità di esaurimento (normalmente on) che utilizza una struttura DMOS laterale avanzata e un processo di fabbricazione collaudato con gate al silicio. Questa combinazione produce un dispositivo con le capacità di gestione della potenza dei transistor bipolari e con l'elevata impedenza di ingresso e il coefficiente di temperatura positivo tipico dei dispositivi MOS. Come tutte le strutture MOS, questo dispositivo è privo di instabilità termica e di scarica secondaria indotta termicamente.

Bassa resistenza in stato attivo

Bassa capacità di ingresso

Velocità di commutazione rapide

Elevata impedenza di ingresso ed elevato guadagno

Basso requisito di potenza di azionamento

Facilità di collegamento in parallelo

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