MOSFET singoli Microchip, canale Canale N FET DMOS 9 V, 1.4 Ω Modalità di esaurimento, 350 mA, 5 Pin, SOT-23-5,

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Codice RS:
599-040
Codice costruttore:
MIC94050YM4-TR
Costruttore:
Microchip
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Marchio

Microchip

Tipo di canale

Canale N FET DMOS

Tipo prodotto

MOSFET singoli

Massima corrente di scarico continua Id

350mA

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

9V

Serie

MIC94050

Tipo di package

SOT-23-5

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

5

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

1.4Ω

Modalità canale

Modalità di esaurimento

Minima temperatura operativa

-25°C

Dissipazione di potenza massima Pd

360mW

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

12 V

Tensione diretta Vf

1.8V

Temperatura massima di funzionamento

125°C

Lunghezza

3.05mm

Standard/Approvazioni

RoHS, ISO/TS‑16949

Altezza

1.3mm

Larghezza

1.75 mm

Standard automobilistico

No

Paese di origine:
TH
Il MOSFET a canale P con gate in silicio a 4 terminali Microchip fornisce una bassa resistenza all'accensione in un contenitore compatto. Progettato per le applicazioni di interruttore high-side in cui lo spazio è critico, in genere presenta una resistenza all'accensione di 0,125 Ω a una tensione gate-to-source di 4,5 V. Il MOSFET funziona con una tensione gate-to-source di 1,8 V.

Funziona con tensione gate-to-source da 1,8 V

Il collegamento del substrato separato consente il blocco inverso

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