MOSFET singoli Microchip, canale Canale N FET DMOS 9 V, 1.4 Ω Modalità di esaurimento, 350 mA, 5 Pin, SOT-23-5,

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Codice RS:
599-150
Codice costruttore:
LND150N3-G-P003
Costruttore:
Microchip
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Marchio

Microchip

Tipo di canale

Canale N FET DMOS

Tipo prodotto

MOSFET singoli

Massima corrente di scarico continua Id

350mA

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

9V

Tipo di package

SOT-23-5

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

5

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

1.4Ω

Modalità canale

Modalità di esaurimento

Minima temperatura operativa

-25°C

Tensione diretta Vf

1.8V

Dissipazione di potenza massima Pd

360mW

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

12 V

Temperatura massima di funzionamento

125°C

Standard/Approvazioni

ISO/TS‑16949, RoHS

Altezza

1.3mm

Lunghezza

3.05mm

Larghezza

1.75 mm

Standard automobilistico

No

Paese di origine:
PH
Il transistor a modalità di esaurimento a canale N ad alta tensione (normalmente acceso) Microchip utilizza la tecnologia DMOS laterale. Il cancello è protetto da ESD. L'LND150 è ideale per le applicazioni ad alta tensione nelle aree degli interruttori normalmente accesi, delle sorgenti di corrente costante di precisione, della generazione di rampe di tensione e dell'amplificazione.

Privo di scarica secondaria

Basso requisito di potenza di azionamento

Facilità di collegamento in parallelo

Eccellente stabilità termica

Diodo di drenaggio sorgente integrato

Impedanza di ingresso elevata e CISS basso

Protezione gate ESD

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