MOSFET singoli Microchip, canale Canale N FET DMOS 40 V, 1.8 Ω Modalità di potenziamento, 450 mA, 3 Pin, TO-92-3

Visualizza MOSFET

Prezzo per 1 bobina da 2000 unità*

1170,00 €

(IVA esclusa)

1428,00 €

(IVA inclusa)

Add to Basket
Selezionare o digitare la quantità
Temporaneamente esaurito
  • Spedizione a partire dal 02 giugno 2026
Te ne servono di più? Inserisci la nuova quantità e clicca su "Controlla le date di consegna".
Unità
Per unità
Per bobina*
2000 +0,585 €1.170,00 €

*prezzo indicativo

Codice RS:
598-851
Codice costruttore:
TP2104N3-G-P003
Costruttore:
Microchip
Trova prodotti simili selezionando uno o più attributi.
Seleziona tutto

Marchio

Microchip

Tipo prodotto

MOSFET singoli

Tipo di canale

Canale N FET DMOS

Massima corrente di scarico continua Id

450mA

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

40V

Tipo di package

TO-92-3 (TO-226AA)

Serie

TP2104

Tipo montaggio

Foro passante

Numero pin

3

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

1.8Ω

Modalità canale

Modalità di potenziamento

Minima temperatura operativa

-55°C

Tensione diretta Vf

1.8V

Dissipazione di potenza massima Pd

1W

Temperatura massima di funzionamento

150°C

Altezza

5.3mm

Lunghezza

4.2mm

Standard/Approvazioni

RoHS Compliant

Standard automobilistico

No

Paese di origine:
PH
Il transistor verticale a modalità di potenziamento del canale N Microchip utilizza una struttura a semiconduttore in ossido di metallo (DMOS) a doppia diffusione verticale insieme a un collaudato processo di fabbricazione del gate in silicio. Questa combinazione assicura che il dispositivo sia privo di guasti secondari e funzioni con un requisito di azionamento a bassa potenza, il che lo rende efficiente e affidabile per varie applicazioni.

Facilità di collegamento in parallelo

Basso requisito di potenza di azionamento

Elevata impedenza di ingresso ed elevato guadagno

Link consigliati