MOSFET singoli Vishay, canale Tipo P 60 V, 0.17 Ω Miglioramento, -2.8 A, 3 Pin, SOT-23, Montaggio su circuito stampato

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Codice RS:
653-155
Codice costruttore:
SQ2361CEES-T1_GE3
Costruttore:
Vishay
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Marchio

Vishay

Tipo di canale

Tipo P

Tipo prodotto

MOSFET singoli

Massima corrente di scarico continua Id

-2.8A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

60V

Tipo di package

SOT-23

Serie

SQ2361CEES

Tipo montaggio

Montaggio su circuito stampato

Numero pin

3

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

0.17Ω

Modalità canale

Miglioramento

Tensione diretta Vf

-1.2V

Dissipazione di potenza massima Pd

2W

Minima temperatura operativa

-55°C

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

15nC

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

±20 V

Temperatura massima di funzionamento

175°C

Standard/Approvazioni

AEC-Q101

Lunghezza

3.04mm

Larghezza

2.64 mm

Standard automobilistico

AEC-Q101

Il MOSFET a canale P di grado automobilistico Vishay è progettato per applicazioni di commutazione compatte e a bassa tensione. Supporta una tensione di scarico fino a 60 V e funziona in modo affidabile a temperature di giunzione fino a 175 °C, il che lo rende adatto per ambienti automobilistici difficili. Confezionato in un formato SOT-23, utilizza la tecnologia TrenchFET di Vishay per fornire bassi RDS(on) e prestazioni termiche efficienti in progetti con spazio ristretto.

Certificazione AEC-Q101

Senza Pb

Prodotto privo di alogeni

Conforme alla direttiva RoHS

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