MOSFET di potenza Vishay, canale Tipo P 60 V, 0.177 Ω Miglioramento, 2.8 A, 3 Pin, SOT-23, Superficie SQ2361ES-T1_GE3

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Codice RS:
152-6376
Codice costruttore:
SQ2361ES-T1_GE3
Costruttore:
Vishay
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Marchio

Vishay

Tipo di canale

Tipo P

Tipo prodotto

MOSFET di potenza

Massima corrente di scarico continua Id

2.8A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

60V

Tipo di package

SOT-23

Serie

SQ

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

3

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

0.177Ω

Modalità canale

Miglioramento

Tensione diretta Vf

1.2V

Minima temperatura operativa

-55°C

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

20 V

Dissipazione di potenza massima Pd

2W

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

12nC

Temperatura massima di funzionamento

175°C

Standard/Approvazioni

AEC-Q101

Lunghezza

3.04mm

Altezza

1.02mm

Larghezza

1.4 mm

Standard automobilistico

AEC-Q101

MOSFET di potenza TrenchFET®

Categorizzazione materiale

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