MOSFET Vishay, canale Tipo N 60 V, 164 mΩ Miglioramento, 2.3 A, 3 Pin, SOT-23, Superficie SQ2308CES-T1_GE3

Codice RS:: 180-7943
Codice costruttore:: SQ2308CES-T1_GE3
Costruttore:: Vishay

MOSFET Vishay, canale Tipo N 60 V, 164 mΩ Miglioramento, 2.3 A, 3 Pin, SOT-23, Superficie SQ2308CES-T1_GE3

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Codice RS:: 180-7943
Codice costruttore:: SQ2308CES-T1_GE3
Costruttore:: Vishay

Specifiche

Documentazione Tecnica

Normative

Dettagli prodotto

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Seleziona tutto	Attributo	Valore
	Marchio	Vishay
	Tipo prodotto	MOSFET
	Tipo di canale	Tipo N
	Massima corrente di scarico continua Id	2.3A
	Tensione massima della sorgente di scarico Vds	60V
	Tipo di package	SOT-23
	Serie	TrenchFET
	Tipo montaggio	Superficie
	Numero pin	3
	Resistenza massima della sorgente di scarico Rds	164mΩ
	Modalità canale	Miglioramento
	Carica tipica del gate Qg @ Vgs	3.5nC
	Minima temperatura operativa	-55°C
	Tensione massima della sorgente del cancello Vgs	20 V
	Dissipazione di potenza massima Pd	2W
	Tensione diretta Vf	1.2V
	Temperatura massima di funzionamento	175°C
	Lunghezza	3.04mm
	Altezza	1.12mm
	Larghezza	2.64 mm
	Standard/Approvazioni	No
	Standard automobilistico	AEC-Q101

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	Marchio Vishay
	Tipo prodotto MOSFET
	Tipo di canale Tipo N
	Massima corrente di scarico continua Id 2.3A
	Tensione massima della sorgente di scarico Vds 60V
	Tipo di package SOT-23
	Serie TrenchFET
	Tipo montaggio Superficie
	Numero pin 3
	Resistenza massima della sorgente di scarico Rds 164mΩ
	Modalità canale Miglioramento
	Carica tipica del gate Qg @ Vgs 3.5nC
	Minima temperatura operativa -55°C
	Tensione massima della sorgente del cancello Vgs 20 V
	Dissipazione di potenza massima Pd 2W
	Tensione diretta Vf 1.2V
	Temperatura massima di funzionamento 175°C
	Lunghezza 3.04mm
	Altezza 1.12mm
	Larghezza 2.64 mm
	Standard/Approvazioni No
	Standard automobilistico AEC-Q101

Datasheet

Paese di origine:: CN

MOSFET Vishay

Il MOSFET a canale N a montaggio superficiale Vishay è un prodotto di nuova generazione con una tensione drain-source di 60V e una tensione gate-source massima di 20V. Ha una resistenza drain-source di 150mohm a una tensione gate-source di 10V. Ha una dissipazione di potenza massima di 2W e una corrente di drain continua di 2,3 A. La tensione di pilotaggio minima e massima per questo transistore sono rispettivamente 4,5 V e 10V. Il MOSFET è stato ottimizzato per ridurre le perdite di conduzione e commutazione. Il MOSFET offre un'eccellente efficienza insieme a una lunga durata produttiva senza compromettere le prestazioni o la funzionalità.

Caratteristiche e vantaggi

• Senza alogeni

• senza piombo (Pb)

• la temperatura d'esercizio è compresa tra -55 °C e 175 °C.

MOSFET di potenza TrenchFET da •

Prestazioni ESD tipiche di • 1500V

Applications

• interruttore adattatore

• convertitore CC/CC

• interruttore di distribuzione di carico

Certificazioni

• ANSI/ESD S20.20:2014

• BS EN 61340-5-1:2007

• IEC 61249-2-21

• Rg testato

• UIS testato