MOSFET Vishay, canale N 60 V, 164 mΩ Miglioramento, 2.3 A, 3 Pin, SOT-23, Superficie SQ2308CES-T1_GE3
- Codice RS:
- 180-7943
- Codice costruttore:
- SQ2308CES-T1_GE3
- Costruttore:
- Vishay
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Unità | Per unità | Per confezione* |
|---|---|---|
| 20 - 180 | 0,415 € | 8,30 € |
| 200 - 480 | 0,332 € | 6,64 € |
| 500 - 980 | 0,29 € | 5,80 € |
| 1000 - 1980 | 0,245 € | 4,90 € |
| 2000 + | 0,224 € | 4,48 € |
*prezzo indicativo
- Codice RS:
- 180-7943
- Codice costruttore:
- SQ2308CES-T1_GE3
- Costruttore:
- Vishay
Specifiche
Documentazione Tecnica
Normative
Dettagli prodotto
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Seleziona tutto | Attributo | Valore |
|---|---|---|
| Marchio | Vishay | |
| Tipo prodotto | MOSFET | |
| Tipo di canale | N | |
| Massima corrente di scarico continua Id | 2.3A | |
| Tensione massima della sorgente di scarico Vds | 60V | |
| Tipo di package | SOT-23 | |
| Serie | TrenchFET | |
| Tipo montaggio | Superficie | |
| Numero pin | 3 | |
| Resistenza massima della sorgente di scarico Rds | 164mΩ | |
| Modalità canale | Miglioramento | |
| Tensione massima della sorgente del cancello Vgs | 20V | |
| Dissipazione di potenza massima Pd | 2W | |
| Tensione diretta Vf | 1.2V | |
| Minima temperatura operativa | -55°C | |
| Carica tipica del gate Qg @ Vgs | 3.5nC | |
| Temperatura massima di funzionamento | 175°C | |
| Altezza | 1.12mm | |
| Larghezza | 2.64mm | |
| Standard/Approvazioni | No | |
| Lunghezza | 3.04mm | |
| Standard automobilistico | AEC-Q101 | |
| Seleziona tutto | ||
|---|---|---|
Marchio Vishay | ||
Tipo prodotto MOSFET | ||
Tipo di canale N | ||
Massima corrente di scarico continua Id 2.3A | ||
Tensione massima della sorgente di scarico Vds 60V | ||
Tipo di package SOT-23 | ||
Serie TrenchFET | ||
Tipo montaggio Superficie | ||
Numero pin 3 | ||
Resistenza massima della sorgente di scarico Rds 164mΩ | ||
Modalità canale Miglioramento | ||
Tensione massima della sorgente del cancello Vgs 20V | ||
Dissipazione di potenza massima Pd 2W | ||
Tensione diretta Vf 1.2V | ||
Minima temperatura operativa -55°C | ||
Carica tipica del gate Qg @ Vgs 3.5nC | ||
Temperatura massima di funzionamento 175°C | ||
Altezza 1.12mm | ||
Larghezza 2.64mm | ||
Standard/Approvazioni No | ||
Lunghezza 3.04mm | ||
Standard automobilistico AEC-Q101 | ||
- Paese di origine:
- CN
MOSFET Vishay
Il MOSFET a canale N a montaggio superficiale Vishay è un prodotto di nuova generazione con una tensione drain-source di 60V e una tensione gate-source massima di 20V. Ha una resistenza drain-source di 150mohm a una tensione gate-source di 10V. Ha una dissipazione di potenza massima di 2W e una corrente di drain continua di 2,3 A. La tensione di pilotaggio minima e massima per questo transistore sono rispettivamente 4,5 V e 10V. Il MOSFET è stato ottimizzato per ridurre le perdite di conduzione e commutazione. Il MOSFET offre un'eccellente efficienza insieme a una lunga durata produttiva senza compromettere le prestazioni o la funzionalità.
Caratteristiche e vantaggi
• Senza alogeni
• senza piombo (Pb)
• la temperatura d'esercizio è compresa tra -55 °C e 175 °C.
MOSFET di potenza TrenchFET da •
Prestazioni ESD tipiche di • 1500V
Applications
• interruttore adattatore
• convertitore CC/CC
• interruttore di distribuzione di carico
Certificazioni
• ANSI/ESD S20.20:2014
• BS EN 61340-5-1:2007
• IEC 61249-2-21
• Rg testato
• UIS testato
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