MOSFET singoli Vishay, canale Tipo N 60 V, 0.15 Ω Miglioramento, 2.3 A, 3 Pin, SOT-23, Montaggio su circuito stampato

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3000 +0,132 €396,00 €

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Codice RS:
653-059
Codice costruttore:
SQ2308FES-T1_GE3
Costruttore:
Vishay
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Marchio

Vishay

Tipo di canale

Tipo N

Tipo prodotto

MOSFET singoli

Massima corrente di scarico continua Id

2.3A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

60V

Serie

SQ23

Tipo di package

SOT-23

Tipo montaggio

Montaggio su circuito stampato

Numero pin

3

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

0.15Ω

Modalità canale

Miglioramento

Minima temperatura operativa

-55°C

Tensione diretta Vf

1.2V

Dissipazione di potenza massima Pd

2W

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

5.3nC

Temperatura massima di funzionamento

175°C

Altezza

1.12mm

Standard/Approvazioni

AEC-Q101

Lunghezza

3.04mm

Standard automobilistico

AEC-Q101

Il MOSFET a canale N di grado automobilistico Vishay è progettato per applicazioni di commutazione compatte e a bassa tensione. Supporta una tensione di scarico fino a 60 V e funziona in modo affidabile a temperature di giunzione fino a 175 °C. Confezionato in un formato SOT-23 salvaspazio, utilizza la tecnologia TrenchFET per prestazioni efficienti in ambienti termicamente limitati.

Certificazione AEC-Q101

Senza Pb

Prodotto privo di alogeni

Conforme alla direttiva RoHS

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