MOSFET Vishay, canale Canale N 60 V, 0.15 Ω Miglioramento, 2.3 A, 3 Pin, SOT-23-3, Superficie SQ2308FES-T1_BE3

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Codice RS:
735-118
Codice costruttore:
SQ2308FES-T1_BE3
Costruttore:
Vishay
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Marchio

Vishay

Tipo di canale

Canale N

Tipo prodotto

MOSFET

Massima corrente di scarico continua Id

2.3A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

60V

Tipo di package

SOT-23-3

Serie

SQ2308FES

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

3

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

0.15Ω

Modalità canale

Miglioramento

Minima temperatura operativa

-55°C

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

20V

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

5nC

Tensione diretta Vf

1.2V

Dissipazione di potenza massima Pd

2W

Temperatura massima di funzionamento

175°C

Larghezza

3.01mm

Lunghezza

2.36mm

Standard/Approvazioni

RoHS

Standard automobilistico

AEC-Q101

Paese di origine:
DE
Il MOSFET a canale N di Vishay è progettato per una gestione efficiente dell'alimentazione in applicazioni impegnative. Funziona con una tensione massima drain-source di 60 V ed è qualificato secondo le norme AEC-Q101.

Supporta tensioni gate-source fino a ± 20 V

Ampia gamma di temperature d'esercizio da -55 a +175 °C

Progettato per ridurre al minimo la resistenza termica durante il funzionamento

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