MOSFET Vishay, canale Canale P 80 V, 0.29 Ω Miglioramento, -2.2 A, 3 Pin, SOT-23-3, Superficie SQ2337CES-T1_BE3

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Codice RS:
735-120
Codice costruttore:
SQ2337CES-T1_BE3
Costruttore:
Vishay
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Marchio

Vishay

Tipo prodotto

MOSFET

Tipo di canale

Canale P

Massima corrente di scarico continua Id

-2.2A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

80V

Serie

SQ2337CES

Tipo di package

SOT-23-3

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

3

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

0.29Ω

Modalità canale

Miglioramento

Tensione diretta Vf

1.2V

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

20V

Minima temperatura operativa

-55°C

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

11.5nC

Dissipazione di potenza massima Pd

2W

Temperatura massima di funzionamento

175°C

Lunghezza

5mm

Standard/Approvazioni

RoHS

Larghezza

6.2mm

Standard automobilistico

AEC-Q101

Paese di origine:
DE
Il MOSFET di potenza Vishay offre un'elevata efficienza e affidabilità nelle applicazioni automobilistiche, gestendo efficacemente l'energia elettrica e garantendo prestazioni robuste in ambienti difficili.

Ampio intervallo di temperature d'esercizio da -55 a +175 °C per diverse condizioni ambientali

La dissipazione di potenza massima di 3 W supporta carichi elettrici impegnativi

Resistenza in stato attivo fino a 0,290 Ω a -10 V per una gestione ottimale della potenza

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