MOSFET di potenza TrenchFET Vishay, canale Tipo N 20 V, 0.03 Ω Miglioramento, 6 A, 3 Pin, SOT-23, Superficie
- Codice RS:
- 787-9443
- Codice costruttore:
- SQ2310ES-T1_BE3
- Costruttore:
- Vishay
Prezzo per 1 confezione da 10 unità*
7,01 €
(IVA esclusa)
8,55 €
(IVA inclusa)
Aggiungi 90 unità per ottenere la consegna gratuita
- 40 unità in spedizione dal 27 febbraio 2026
- Più 1810 unità in spedizione dal 02 marzo 2026
Unità | Per unità | Per confezione* |
|---|---|---|
| 10 - 90 | 0,701 € | 7,01 € |
| 100 - 240 | 0,686 € | 6,86 € |
| 250 - 490 | 0,54 € | 5,40 € |
| 500 - 990 | 0,343 € | 3,43 € |
| 1000 + | 0,308 € | 3,08 € |
*prezzo indicativo
- Codice RS:
- 787-9443
- Codice costruttore:
- SQ2310ES-T1_BE3
- Costruttore:
- Vishay
Seleziona tutto | Attributo | Valore |
|---|---|---|
| Marchio | Vishay | |
| Tipo di canale | Tipo N | |
| Tipo prodotto | MOSFET di potenza TrenchFET | |
| Massima corrente di scarico continua Id | 6A | |
| Tensione massima della sorgente di scarico Vds | 20V | |
| Tipo di package | SOT-23 | |
| Serie | SQ Rugged | |
| Tipo montaggio | Superficie | |
| Numero pin | 3 | |
| Resistenza massima della sorgente di scarico Rds | 0.03Ω | |
| Modalità canale | Miglioramento | |
| Dissipazione di potenza massima Pd | 2W | |
| Minima temperatura operativa | -55°C | |
| Tensione diretta Vf | 1.2V | |
| Carica tipica del gate Qg @ Vgs | 8.5nC | |
| Tensione massima della sorgente del cancello Vgs | ±8 V | |
| Temperatura massima di funzionamento | 175°C | |
| Standard/Approvazioni | IEC 61249-2-21, RoHS: 2002/95/EC | |
| Lunghezza | 3.04mm | |
| Larghezza | 1.4 mm | |
| Altezza | 1.02mm | |
| Standard automobilistico | AEC-Q101 | |
| Seleziona tutto | ||
|---|---|---|
Marchio Vishay | ||
Tipo di canale Tipo N | ||
Tipo prodotto MOSFET di potenza TrenchFET | ||
Massima corrente di scarico continua Id 6A | ||
Tensione massima della sorgente di scarico Vds 20V | ||
Tipo di package SOT-23 | ||
Serie SQ Rugged | ||
Tipo montaggio Superficie | ||
Numero pin 3 | ||
Resistenza massima della sorgente di scarico Rds 0.03Ω | ||
Modalità canale Miglioramento | ||
Dissipazione di potenza massima Pd 2W | ||
Minima temperatura operativa -55°C | ||
Tensione diretta Vf 1.2V | ||
Carica tipica del gate Qg @ Vgs 8.5nC | ||
Tensione massima della sorgente del cancello Vgs ±8 V | ||
Temperatura massima di funzionamento 175°C | ||
Standard/Approvazioni IEC 61249-2-21, RoHS: 2002/95/EC | ||
Lunghezza 3.04mm | ||
Larghezza 1.4 mm | ||
Altezza 1.02mm | ||
Standard automobilistico AEC-Q101 | ||
MOSFET canale N, serie Automotive SQ Rugged, Vishay Semiconductor
Vantaggi dei MOSFET serie SQ Rugged
Transistor MOSFET, Vishay Semiconductor
Approvals
Link consigliati
- MOSFET di potenza TrenchFET Vishay 0.03 Ω Miglioramento 3 Pin Superficie
- MOSFET di potenza TrenchFET Vishay 2 Ω Miglioramento 3 Pin Superficie
- MOSFET di potenza TrenchFET Vishay 0.0032 Ω Miglioramento 8 Pin Superficie
- MOSFET di potenza TrenchFET Vishay 0.12 Ω Miglioramento 8 Pin Superficie
- MOSFET di potenza TrenchFET Vishay 0.022 Ω Miglioramento 3 Pin Montaggio su
- MOSFET di potenza TrenchFET Vishay 0.335 Ω Miglioramento 3 Pin Superficie
- MOSFET di potenza Vishay 0.177 Ω Miglioramento 3 Pin Superficie
- MOSFET di potenza Vishay 0.066 Ω Miglioramento 3 Pin Superficie