MOSFET di potenza TrenchFET Vishay, canale Tipo N 20 V, 0.03 Ω Miglioramento, 6 A, 3 Pin, SOT-23, Superficie

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Codice RS:
165-6982
Codice costruttore:
SQ2310ES-T1_BE3
Costruttore:
Vishay
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Marchio

Vishay

Tipo prodotto

MOSFET di potenza TrenchFET

Tipo di canale

Tipo N

Massima corrente di scarico continua Id

6A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

20V

Serie

SQ Rugged

Tipo di package

SOT-23

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

3

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

0.03Ω

Modalità canale

Miglioramento

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

8.5nC

Minima temperatura operativa

-55°C

Dissipazione di potenza massima Pd

2W

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

±8 V

Tensione diretta Vf

1.2V

Temperatura massima di funzionamento

175°C

Lunghezza

3.04mm

Altezza

1.02mm

Larghezza

1.4 mm

Standard/Approvazioni

IEC 61249-2-21, RoHS: 2002/95/EC

Standard automobilistico

AEC-Q101

MOSFET canale N, serie Automotive SQ Rugged, Vishay Semiconductor


I MOSFET serie SQ di Vishay Semiconductor sono progettati per tutte le applicazioni automobilistiche che richiedono robustezza e un'elevata affidabilità.

Vantaggi dei MOSFET serie SQ Rugged


• Qualifica AEC-Q101

• Temperatura di giunzione fino a +175 °C

• Tecnologie TrenchFET® a canale N e canale P con bassa resistenza all'accensione

• Innovative opzioni per contenitore salvaspazio

Transistor MOSFET, Vishay Semiconductor


Approvals

AEC-Q101

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