MOSFET di potenza TrenchFET Vishay, canale N 60 V, 0.022 Ω Miglioramento, 25 A, 3 Pin, TO-252, Montaggio su circuito

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Codice RS:
170-8300
Codice costruttore:
SQD25N06-22L_GE3
Costruttore:
Vishay
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Marchio

Vishay

Tipo di canale

N

Tipo prodotto

MOSFET di potenza TrenchFET

Massima corrente di scarico continua Id

25A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

60V

Tipo di package

TO-252

Serie

SQ Rugged

Tipo montaggio

Montaggio su circuito stampato

Numero pin

3

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

0.022Ω

Modalità canale

Miglioramento

Dissipazione di potenza massima Pd

62W

Tensione diretta Vf

1.5V

Minima temperatura operativa

-55°C

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

50nC

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

-20V, +20V

Temperatura massima di funzionamento

175°C

Altezza

2.38mm

Larghezza

6.22mm

Lunghezza

6.73mm

Standard/Approvazioni

IEC 61249-2-21, RoHS 2002/95/EC

Standard automobilistico

AEC-Q101

MOSFET canale N, serie Automotive SQ Rugged, Vishay Semiconductor


I MOSFET serie SQ di Vishay Semiconductor sono progettati per tutte le applicazioni automobilistiche che richiedono robustezza e un'elevata affidabilità.

Vantaggi dei MOSFET serie SQ Rugged


• Qualifica AEC-Q101

• Temperatura di giunzione fino a +175 °C

• Tecnologie TrenchFET® a canale N e canale P con bassa resistenza all'accensione

• Innovative opzioni per contenitore salvaspazio

Transistor MOSFET, Vishay Semiconductor


Approvals

AEC-Q101

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