MOSFET singoli Vishay, canale Tipo P -40 V, 0.094 Ω Miglioramento, -4.1 A, 3 Pin, SOT-23, Montaggio su circuito stampato

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Codice RS:
653-160
Codice costruttore:
SQ2389CES-T1_GE3
Costruttore:
Vishay
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Marchio

Vishay

Tipo prodotto

MOSFET singoli

Tipo di canale

Tipo P

Massima corrente di scarico continua Id

-4.1A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

-40V

Tipo di package

SOT-23

Serie

SQ2389CES

Tipo montaggio

Montaggio su circuito stampato

Numero pin

3

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

0.094Ω

Modalità canale

Miglioramento

Minima temperatura operativa

-55°C

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

12nC

Dissipazione di potenza massima Pd

3W

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

20V

Tensione diretta Vf

-1.2V

Temperatura massima di funzionamento

175°C

Lunghezza

3.04mm

Larghezza

2.64mm

Standard/Approvazioni

RoHS

Standard automobilistico

AEC-Q101

MOSFET singoli serie SQ2389CES di Vishay, tensione massima della sorgente di drenaggio -40 V, corrente di drenaggio continua massima -4,1 A - SQ2389CES-T1_GE3


Questo dispositivo MOSFET singolo è un transistor in modalità di potenziamento a canale P progettato per l'uso su schede a circuito stampato in ambienti di controllo automobilistici e industriali. Offre un funzionamento ad alta temperatura e una bassa tensione diretta per la commutazione e i ruoli di protezione all'interno dei sistemi che richiedono un contenitore Compact SOT‐23 e una robustezza di livello automobilistico.

Caratteristiche e vantaggi:


• Il valore nominale di -40 V consente la gestione di tensioni negative moderate per la commutazione
• L'RDS(on) di 0,094 Ω riduce al minimo le perdite di conduzione durante il funzionamento del carico
• La corrente di drenaggio continua di 4,1 supporta carichi di potenza moderati sui circuiti stampati
• La carica di gate tipica di 12 nC riduce l'energia di azionamento per una commutazione più rapida
• La dissipazione di potenza di 3 W consente un funzionamento prolungato a livelli di potenza elevati
• La gamma da -55 °C a 175 °C è adatta per ambienti termici estesi

Applicazioni


• Adatto per la commutazione high-side nei moduli elettronici automobilistici
• Ideale per la protezione del carico nei sistemi di gestione delle batterie
• Utilizzato per la protezione contro l'inversione di polarità nell'elettronica dei veicoli
• Può essere utilizzato per la commutazione di potenza nei controller di automazione industriale

Quale pacchetto devo pianificare sull'ingombro del circuito stampato?


Il dispositivo viene fornito in un contenitore SOT‐23 a tre conduttori, che richiede un piccolo ingombro a montaggio superficiale compatibile con i modelli di terra SOT‐23 standard.

In che modo la tensione di azionamento del gate influisce sull'uso nei sistemi?


Il gate può essere azionato fino a 20 V

garantire che le escursioni gate‐source rimangano entro questo limite per evitare lo stress del dispositivo.

Quali sono le considerazioni termiche che si applicano per un funzionamento prolungato?


Con una temperatura di giunzione massima di 175 °C e una dissipazione di 3 W, si consiglia una gestione termica come versamenti di rame o dissipazione termica per l'uso continuo ad alta potenza.

Può soddisfare le esigenze ambientali del settore automobilistico?


È qualificato per i test di resistenza AEC‐Q101 ed è conforme alla direttiva RoHS, in linea con i requisiti dei componenti automobilistici.

Quali sono le caratteristiche di commutazione previste?


La carica di gate tipica di 12 nC indica un requisito di carica modesto, supportando un'energia di azionamento relativamente bassa per le transizioni di commutazione.

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