MOSFET Vishay, canale Tipo P 40 V, 188 mΩ Miglioramento, 4.1 A, 3 Pin, SOT-23, Superficie SQ2389ES-T1_GE3

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Opzioni di confezione:
Codice RS:
180-8138
Codice costruttore:
SQ2389ES-T1_GE3
Costruttore:
Vishay
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Marchio

Vishay

Tipo prodotto

MOSFET

Tipo di canale

Tipo P

Massima corrente di scarico continua Id

4.1A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

40V

Tipo di package

SOT-23

Serie

TrenchFET

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

3

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

188mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Minima temperatura operativa

-55°C

Dissipazione di potenza massima Pd

3W

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

20 V

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

8.2nC

Tensione diretta Vf

-1.2V

Temperatura massima di funzionamento

175°C

Larghezza

2.64 mm

Standard/Approvazioni

No

Altezza

1.12mm

Lunghezza

3.04mm

Standard automobilistico

AEC-Q101

Paese di origine:
CN

MOSFET Vishay


Il MOSFET a canale P a montaggio superficiale Vishay è un prodotto di nuova generazione con una tensione drain-source di 40V e una tensione gate-source massima di 20V. Ha una resistenza drain-source di 94mohms a una tensione gate-source di 10V. Ha una dissipazione di potenza massima di 3W e una corrente di drain continua di 4,1A. La tensione di pilotaggio minima e massima per questo MOSFET è di 4,5 V e 10V rispettivamente. È utilizzato in applicazioni automobilistiche. Il MOSFET è stato ottimizzato per ridurre le perdite di conduzione e commutazione. Il MOSFET offre un'eccellente efficienza insieme a una lunga durata produttiva senza compromettere le prestazioni o la funzionalità.

Caratteristiche e vantaggi


• Senza alogeni

• senza piombo (Pb)

• la temperatura d'esercizio è compresa tra -55 °C e 175 °C.

MOSFET di potenza TrenchFET da •

Certificazioni


• AEC-Q101

• ANSI/ESD S20.20:2014

• BS EN 61340-5-1:2007

• Rg testato

• UIS testato

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