MOSFET singoli Vishay, canale Tipo P -40 V, 0.094 Ω Miglioramento, -4.1 A, 3 Pin, SOT-23, Montaggio su circuito stampato

Codice RS:: 653-158
Codice costruttore:: SQ2389CES-T1_GE3
Costruttore:: Vishay

MOSFET singoli Vishay, canale Tipo P -40 V, 0.094 Ω Miglioramento, -4.1 A, 3 Pin, SOT-23, Montaggio su circuito stampato

Prezzo per 1 bobina da 3000 unità*

624,00 €

(IVA esclusa)

762,00 €

(IVA inclusa)

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Unità	Per unità	Per bobina*
3000 +	0,208 €	624,00 €

*prezzo indicativo

Codice RS:: 653-158
Codice costruttore:: SQ2389CES-T1_GE3
Costruttore:: Vishay

Specifiche

Documentazione Tecnica

Normative

Dettagli prodotto

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Seleziona tutto	Attributo	Valore
	Marchio	Vishay
	Tipo di canale	Tipo P
	Tipo prodotto	MOSFET singoli
	Massima corrente di scarico continua Id	-4.1A
	Tensione massima della sorgente di scarico Vds	-40V
	Serie	SQ2389CES
	Tipo di package	SOT-23
	Tipo montaggio	Montaggio su circuito stampato
	Numero pin	3
	Resistenza massima della sorgente di scarico Rds	0.094Ω
	Modalità canale	Miglioramento
	Minima temperatura operativa	-55°C
	Tensione diretta Vf	-1.2V
	Tensione massima della sorgente del cancello Vgs	20V
	Dissipazione di potenza massima Pd	3W
	Carica tipica del gate Qg @ Vgs	12nC
	Temperatura massima di funzionamento	175°C
	Larghezza	2.64mm
	Standard/Approvazioni	RoHS
	Lunghezza	3.04mm
	Standard automobilistico	AEC-Q101

	Seleziona tutto
	Marchio Vishay
	Tipo di canale Tipo P
	Tipo prodotto MOSFET singoli
	Massima corrente di scarico continua Id -4.1A
	Tensione massima della sorgente di scarico Vds -40V
	Serie SQ2389CES
	Tipo di package SOT-23
	Tipo montaggio Montaggio su circuito stampato
	Numero pin 3
	Resistenza massima della sorgente di scarico Rds 0.094Ω
	Modalità canale Miglioramento
	Minima temperatura operativa -55°C
	Tensione diretta Vf -1.2V
	Tensione massima della sorgente del cancello Vgs 20V
	Dissipazione di potenza massima Pd 3W
	Carica tipica del gate Qg @ Vgs 12nC
	Temperatura massima di funzionamento 175°C
	Larghezza 2.64mm
	Standard/Approvazioni RoHS
	Lunghezza 3.04mm
	Standard automobilistico AEC-Q101

Datasheet - SQ2389CES-T1_GE3

MOSFET singoli serie SQ2389CES di Vishay, tensione massima della sorgente di drenaggio -40 V, corrente di drenaggio continua massima -4,1 A - SQ2389CES-T1_GE3

Questo dispositivo MOSFET singolo è un transistor in modalità di potenziamento a canale P progettato per l'uso su schede a circuito stampato in ambienti di controllo automobilistici e industriali. Offre un funzionamento ad alta temperatura e una bassa tensione diretta per la commutazione e i ruoli di protezione all'interno dei sistemi che richiedono un contenitore Compact SOT‐23 e una robustezza di livello automobilistico.

Caratteristiche e vantaggi:

• Il valore nominale di -40 V consente la gestione di tensioni negative moderate per la commutazione
• L'RDS(on) di 0,094 Ω riduce al minimo le perdite di conduzione durante il funzionamento del carico
• La corrente di drenaggio continua di 4,1 supporta carichi di potenza moderati sui circuiti stampati
• La carica di gate tipica di 12 nC riduce l'energia di azionamento per una commutazione più rapida
• La dissipazione di potenza di 3 W consente un funzionamento prolungato a livelli di potenza elevati
• La gamma da -55 °C a 175 °C è adatta per ambienti termici estesi

Applicazioni

• Adatto per la commutazione high-side nei moduli elettronici automobilistici
• Ideale per la protezione del carico nei sistemi di gestione delle batterie
• Utilizzato per la protezione contro l'inversione di polarità nell'elettronica dei veicoli
• Può essere utilizzato per la commutazione di potenza nei controller di automazione industriale

Quale pacchetto devo pianificare sull'ingombro del circuito stampato?

Il dispositivo viene fornito in un contenitore SOT‐23 a tre conduttori, che richiede un piccolo ingombro a montaggio superficiale compatibile con i modelli di terra SOT‐23 standard.

In che modo la tensione di azionamento del gate influisce sull'uso nei sistemi?

Il gate può essere azionato fino a 20 V

garantire che le escursioni gate‐source rimangano entro questo limite per evitare lo stress del dispositivo.

Quali sono le considerazioni termiche che si applicano per un funzionamento prolungato?

Con una temperatura di giunzione massima di 175 °C e una dissipazione di 3 W, si consiglia una gestione termica come versamenti di rame o dissipazione termica per l'uso continuo ad alta potenza.

Può soddisfare le esigenze ambientali del settore automobilistico?

È qualificato per i test di resistenza AEC‐Q101 ed è conforme alla direttiva RoHS, in linea con i requisiti dei componenti automobilistici.

Quali sono le caratteristiche di commutazione previste?

La carica di gate tipica di 12 nC indica un requisito di carica modesto, supportando un'energia di azionamento relativamente bassa per le transizioni di commutazione.