MOSFET Infineon, canale N 20 V, 66 mΩ Miglioramento, 4.1 A, 3 Pin, SOT-23, Superficie

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Codice RS:
165-7766
Codice costruttore:
IRLML6246TRPBF
Costruttore:
Infineon
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Marchio

Infineon

Tipo prodotto

MOSFET

Tipo di canale

N

Massima corrente di scarico continua Id

4.1A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

20V

Serie

HEXFET

Tipo di package

SOT-23

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

3

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

66mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Dissipazione di potenza massima Pd

1.3W

Minima temperatura operativa

-55°C

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

-12V, +12V

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

3.5nC

Tensione diretta Vf

1.2V

Temperatura massima di funzionamento

150°C

Lunghezza

3.04mm

Larghezza

1.4mm

Standard/Approvazioni

No

Altezza

1.02mm

Standard automobilistico

No

Paese di origine:
PH

MOSFET Infineon serie HEXFET, tensione massima della sorgente di drenaggio di 20 V, corrente di drenaggio continua massima di 4,1 A - IRLML6246TRPBF


Questo MOSFET è un dispositivo di potenziamento a canale N compatto progettato per la commutazione a bassa tensione in assemblaggi a montaggio superficiale. Funziona in un ampio intervallo di temperature e accetta livelli di azionamento gate compatibili con i comuni circuiti di controllo. Il contenitore e le caratteristiche elettriche lo rendono adatto per schede con spazio limitato che richiedono prestazioni di commutazione efficienti senza elevati requisiti di gestione della potenza.

Caratteristiche e vantaggi:


• La tensione massima drain-source di 20 V consente applicazioni di commutazione a bassa tensione
• La corrente di drenaggio continua di 4,1 A supporta correnti di carico moderate
• La bassa resistenza all'accensione di 66 mΩ riduce al minimo le perdite di conduzione
• La carica gate tipica di 3.5 nC consente transizioni di commutazione più veloci
• La dissipazione di potenza massima di 1,3 W si adatta a budget termici limitati
• La tolleranza gate-source fino a 12 V consente margini di azionamento robusti

Applicazioni


• Adatto per la commutazione della gestione della batteria nei sistemi portatili
• Ideale per la commutazione del carico nei moduli di distribuzione dell'alimentazione
• Utilizzato con driver gate in fasi di controllo motore a bassa tensione
• Può essere utilizzato per la commutazione sincrona del convertitore CC-CC
• Adatto per la commutazione ad alta velocità del livello del segnale nei circuiti di controllo

Quali estremi termici può tollerare questo dispositivo durante il funzionamento?


È specificato per funzionare da -55 °C fino a 150 °C, consentendo l'uso in ambienti con ampie fluttuazioni di temperatura.

In che modo il contenitore influisce sul layout e sull'assemblaggio del circuito stampato?


Il formato a montaggio superficiale SOT‐23 con tre pin riduce l'area della scheda e supporta processi automatizzati di pick‐and‐place e reflow.

Qual è il comportamento previsto con tensioni di gate più elevate?


Il dispositivo limita i valori nominali della sorgente gate a un massimo di 12 V, pertanto gli azionamenti gate devono rimanere entro questa soglia per evitare lo stress da ossido gate.

Come funziona il dispositivo sotto carico continuo?


La corrente di drenaggio continua è nominale a 4,1 A mentre la dissipazione termica è limitata a 1,3 W, pertanto è necessaria un'adeguata area di rame o un dissipatore di calore per mantenere temperature di giunzione sicure.

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