MOSFET Infineon, canale N 20 V, 66 mΩ Miglioramento, 4.1 A, 3 Pin, SOT-23, Superficie IRLML6246TRPBF
- Codice RS:
- 737-7221
- Codice Distrelec:
- 304-45-317
- Codice costruttore:
- IRLML6246TRPBF
- Costruttore:
- Infineon
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*prezzo indicativo
- Codice RS:
- 737-7221
- Codice Distrelec:
- 304-45-317
- Codice costruttore:
- IRLML6246TRPBF
- Costruttore:
- Infineon
Specifiche
Documentazione Tecnica
Normative
Dettagli prodotto
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Seleziona tutto | Attributo | Valore |
|---|---|---|
| Marchio | Infineon | |
| Tipo prodotto | MOSFET | |
| Tipo di canale | N | |
| Massima corrente di scarico continua Id | 4.1A | |
| Tensione massima della sorgente di scarico Vds | 20V | |
| Serie | HEXFET | |
| Tipo di package | SOT-23 | |
| Tipo montaggio | Superficie | |
| Numero pin | 3 | |
| Resistenza massima della sorgente di scarico Rds | 66mΩ | |
| Modalità canale | Miglioramento | |
| Carica tipica del gate Qg @ Vgs | 3.5nC | |
| Minima temperatura operativa | -55°C | |
| Tensione diretta Vf | 1.2V | |
| Dissipazione di potenza massima Pd | 1.3W | |
| Tensione massima della sorgente del cancello Vgs | -12V, +12V | |
| Temperatura massima di funzionamento | 150°C | |
| Standard/Approvazioni | No | |
| Larghezza | 1.4mm | |
| Lunghezza | 3.04mm | |
| Altezza | 1.02mm | |
| Standard automobilistico | No | |
| Seleziona tutto | ||
|---|---|---|
Marchio Infineon | ||
Tipo prodotto MOSFET | ||
Tipo di canale N | ||
Massima corrente di scarico continua Id 4.1A | ||
Tensione massima della sorgente di scarico Vds 20V | ||
Serie HEXFET | ||
Tipo di package SOT-23 | ||
Tipo montaggio Superficie | ||
Numero pin 3 | ||
Resistenza massima della sorgente di scarico Rds 66mΩ | ||
Modalità canale Miglioramento | ||
Carica tipica del gate Qg @ Vgs 3.5nC | ||
Minima temperatura operativa -55°C | ||
Tensione diretta Vf 1.2V | ||
Dissipazione di potenza massima Pd 1.3W | ||
Tensione massima della sorgente del cancello Vgs -12V, +12V | ||
Temperatura massima di funzionamento 150°C | ||
Standard/Approvazioni No | ||
Larghezza 1.4mm | ||
Lunghezza 3.04mm | ||
Altezza 1.02mm | ||
Standard automobilistico No | ||
MOSFET Infineon serie HEXFET, tensione massima della sorgente di drenaggio di 20 V, corrente di drenaggio continua massima di 4,1 A - IRLML6246TRPBF
Questo MOSFET è un dispositivo di potenziamento a canale N compatto progettato per la commutazione a bassa tensione in assemblaggi a montaggio superficiale. Funziona in un ampio intervallo di temperature e accetta livelli di azionamento gate compatibili con i comuni circuiti di controllo. Il contenitore e le caratteristiche elettriche lo rendono adatto per schede con spazio limitato che richiedono prestazioni di commutazione efficienti senza elevati requisiti di gestione della potenza.
Caratteristiche e vantaggi:
• La tensione massima drain-source di 20 V consente applicazioni di commutazione a bassa tensione
• La corrente di drenaggio continua di 4,1 A supporta correnti di carico moderate
• La bassa resistenza all'accensione di 66 mΩ riduce al minimo le perdite di conduzione
• La carica gate tipica di 3.5 nC consente transizioni di commutazione più veloci
• La dissipazione di potenza massima di 1,3 W si adatta a budget termici limitati
• La tolleranza gate-source fino a 12 V consente margini di azionamento robusti
• La corrente di drenaggio continua di 4,1 A supporta correnti di carico moderate
• La bassa resistenza all'accensione di 66 mΩ riduce al minimo le perdite di conduzione
• La carica gate tipica di 3.5 nC consente transizioni di commutazione più veloci
• La dissipazione di potenza massima di 1,3 W si adatta a budget termici limitati
• La tolleranza gate-source fino a 12 V consente margini di azionamento robusti
Applicazioni
• Adatto per la commutazione della gestione della batteria nei sistemi portatili
• Ideale per la commutazione del carico nei moduli di distribuzione dell'alimentazione
• Utilizzato con driver gate in fasi di controllo motore a bassa tensione
• Può essere utilizzato per la commutazione sincrona del convertitore CC-CC
• Adatto per la commutazione ad alta velocità del livello del segnale nei circuiti di controllo
• Ideale per la commutazione del carico nei moduli di distribuzione dell'alimentazione
• Utilizzato con driver gate in fasi di controllo motore a bassa tensione
• Può essere utilizzato per la commutazione sincrona del convertitore CC-CC
• Adatto per la commutazione ad alta velocità del livello del segnale nei circuiti di controllo
Quali estremi termici può tollerare questo dispositivo durante il funzionamento?
È specificato per funzionare da -55 °C fino a 150 °C, consentendo l'uso in ambienti con ampie fluttuazioni di temperatura.
In che modo il contenitore influisce sul layout e sull'assemblaggio del circuito stampato?
Il formato a montaggio superficiale SOT‐23 con tre pin riduce l'area della scheda e supporta processi automatizzati di pick‐and‐place e reflow.
Qual è il comportamento previsto con tensioni di gate più elevate?
Il dispositivo limita i valori nominali della sorgente gate a un massimo di 12 V, pertanto gli azionamenti gate devono rimanere entro questa soglia per evitare lo stress da ossido gate.
Come funziona il dispositivo sotto carico continuo?
La corrente di drenaggio continua è nominale a 4,1 A mentre la dissipazione termica è limitata a 1,3 W, pertanto è necessaria un'adeguata area di rame o un dissipatore di calore per mantenere temperature di giunzione sicure.
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