MOSFET Infineon, canale N, 41 mΩ, 5,8 A, SOT-23, Montaggio superficiale

Codice RS:: 165-7765
Codice costruttore:: IRFML8244TRPBF
Costruttore:: Infineon

MOSFET Infineon, canale N, 41 mΩ, 5,8 A, SOT-23, Montaggio superficiale

Prezzo per Unità (Su Bobina da 3000)**

0,062 €

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Unità	Per unità	Per bobina**
3000 +	0,062 €	186,00 €

**prezzo indicativo

Codice RS:: 165-7765
Codice costruttore:: IRFML8244TRPBF
Costruttore:: Infineon

Datasheet
ESD Control Selection Guide V1

Attributo	Valore
Tipo di canale	N
Corrente massima continuativa di drain	5,8 A
Tensione massima drain source	25 V
Tipo di package	SOT-23
Serie	HEXFET
Tipo di montaggio	Montaggio superficiale
Numero pin	3
Resistenza massima drain source	41 mΩ
Modalità del canale	Enhancement
Tensione di soglia gate massima	2.35V
Tensione di soglia gate minima	1.35V
Dissipazione di potenza massima	1,25 W
Configurazione transistor	Singolo
Tensione massima gate source	-20 V, +20 V
Lunghezza	3.04mm
Numero di elementi per chip	1
Larghezza	1.4mm
Carica gate tipica @ Vgs	5,4 nC a 10 V
Materiale del transistor	Si
Massima temperatura operativa	+150 °C
Minima temperatura operativa	-55 °C
Altezza	1.02mm

MOSFET Infineon, canale N, 41 mΩ, 5,8 A, SOT-23, Montaggio superficiale

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MOSFET di potenza a canale N, da 12 V a 25 V, Infineon

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