MOSFET Infineon, canale N 25 V, 41 mΩ Miglioramento, 5.8 A, 3 Pin, SOT-23, Superficie

Visualizza MOSFET
Sconto per quantità disponibile
Visualizza le opzioni di prezzo per quantità

Prezzo per 1 bobina da 3000 unità*

195,00 €

(IVA esclusa)

237,00 €

(IVA inclusa)

Add to Basket
Selezionare o digitare la quantità
In magazzino
  • Più 42.000 unità in spedizione dal 16 ottobre 2026
Te ne servono di più? Inserisci la nuova quantità e clicca su "Controlla le date di consegna".

Unità
Per unità
Per bobina*
3000 - 30000,065 €195,00 €
6000 - 60000,062 €186,00 €
9000 +0,059 €177,00 €

*prezzo indicativo

Codice RS:
165-7765
Codice costruttore:
IRFML8244TRPBF
Costruttore:
Infineon
Trova prodotti simili selezionando uno o più attributi.
Seleziona tutto

Marchio

Infineon

Tipo prodotto

MOSFET

Tipo di canale

N

Massima corrente di scarico continua Id

5.8A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

25V

Tipo di package

SOT-23

Serie

HEXFET

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

3

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

41mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

5.4nC

Tensione diretta Vf

1.2V

Minima temperatura operativa

-55°C

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

-20V, +20V

Dissipazione di potenza massima Pd

1.25W

Temperatura massima di funzionamento

150°C

Larghezza

1.4mm

Standard/Approvazioni

No

Lunghezza

3.04mm

Altezza

1.02mm

Standard automobilistico

No

Paese di origine:
PH

MOSFET Infineon serie HEXFET, tensione massima della sorgente di drenaggio di 25 V, corrente di drenaggio continua massima di 5,8 A - IRFML8244TRPBF


Questo MOSFET è un dispositivo di potenziamento compatto a canale N progettato per la commutazione di potenza a montaggio superficiale e il controllo del livello del segnale in assemblaggi elettronici compatti. Funziona su un'ampia gamma di temperature, adatto per ambienti difficili, ed è progettato per l'uso nei casi in cui sono richieste basse perdite di conduzione e una gestione della potenza modesta. Il pacchetto supporta il montaggio SOT-23 a tre pin per layout di schede con limiti di spazio.

Caratteristiche e vantaggi:


• La bassa resistenza in stato attivo di 41 mΩ riduce le perdite di conduzione
• La corrente di drenaggio continua di 5,8 A supporta correnti di carico più elevate
• La tensione di drenaggio-sorgente di 25 V consente la commutazione a media tensione
• La carica gate tipica di 5,4 nC consente transizioni gate rapide
• La tensione diretta di 1.2 V riduce al minimo la caduta di tensione sotto carico
• La dissipazione di potenza massima di 1,25 W consente di gestire il budget termico

Applicazioni


• Adatto per convertitori step-down CC-CC compatti
• Ideale per moduli di gestione dell'alimentazione portatili
• Utilizzato con azionamenti per motori per il controllo di piccoli attuatori
• Può essere utilizzato per la protezione della batteria e i circuiti di ricarica
• Adatto per schede elettroniche di consumo ad alta densità

Quali sono i limiti termici di funzionamento?


Il dispositivo è progettato per funzionare tra -55 °C e 150 °C, consentendo il funzionamento in avviamenti a bassa temperatura e condizioni ambientali elevate.

Quali sono le tensioni di gate estreme da evitare?


La tensione gate-source non deve superare 20 V per evitare stress o danni al dispositivo.

Quanti pin e quale stile di montaggio utilizza?


Viene fornito come componente a tre pin destinato all'assemblaggio a montaggio superficiale in un ingombro SOT-23.

Quali compromessi di conduzione e commutazione presenta?


La combinazione di resistenza di accensione di 41 mΩ e carica di gate di 5,4 nC bilancia basse perdite di conduzione con requisiti moderati di gate-drive per una commutazione efficiente.

Link consigliati

Rimani aggiornato sulle novità di prodotto e sulle nostre offerte!

Indirizzo email

I dati personali forniti saranno trattati in linea con la nostra Politica sulla Privacy.