MOSFET Infineon, canale Tipo N 25 V, 41 mΩ Miglioramento, 5.8 A, 3 Pin, SOT-23, Superficie

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Codice RS:
165-7765
Codice costruttore:
IRFML8244TRPBF
Costruttore:
Infineon
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Marchio

Infineon

Tipo di canale

Tipo N

Tipo prodotto

MOSFET

Massima corrente di scarico continua Id

5.8A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

25V

Tipo di package

SOT-23

Serie

HEXFET

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

3

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

41mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

5.4nC

Minima temperatura operativa

-55°C

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

20 V

Dissipazione di potenza massima Pd

1.25W

Tensione diretta Vf

1.2V

Temperatura massima di funzionamento

150°C

Larghezza

1.4 mm

Lunghezza

3.04mm

Standard/Approvazioni

No

Altezza

1.02mm

Standard automobilistico

No

Paese di origine:
PH

MOSFET di potenza a canale N, da 12 V a 25 V, Infineon


La gamma Infineon di MOSFET di potenza singoli HEXFET® comprende dispositivi a canale N con montaggio superficiale, terminali e fattori di forma adatti a quasi tutti i layout di scheda e alle sfide della progettazione termica. Il valore di riferimento della resistenza su tutta la gamma riduce le perdite di conduzione, consentendo ai progettisti di ottenere un rendimento ottimale del sistema.

Transistor MOSFET, Infineon


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