MOSFET DiodesZetex, canale N, 64 mΩ, 5,8 A, SOT-23, Montaggio superficiale

Codice RS:: 122-2880
Codice costruttore:: DMN3051L-7
Costruttore:: DiodesZetex

MOSFET DiodesZetex, canale N, 64 mΩ, 5,8 A, SOT-23, Montaggio superficiale

Prezzo per Unità (Su Bobina da 3000)**

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Unità	Per unità	Per bobina**
3000 +	0,113 €	339,00 €

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Codice RS:: 122-2880
Codice costruttore:: DMN3051L-7
Costruttore:: DiodesZetex

Datasheet
ESD Control Selection Guide V1

Attributo	Valore
Tipo di canale	N
Corrente massima continuativa di drain	5,8 A
Tensione massima drain source	30 V
Tipo di package	SOT-23
Tipo di montaggio	Montaggio superficiale
Numero pin	3
Resistenza massima drain source	64 mΩ
Modalità del canale	Enhancement
Tensione di soglia gate massima	2.2V
Dissipazione di potenza massima	1,4 W
Configurazione transistor	Singolo
Tensione massima gate source	-20 V, +20 V
Numero di elementi per chip	1
Carica gate tipica @ Vgs	9 nC a 10 V
Massima temperatura operativa	+150 °C
Materiale del transistor	Si
Lunghezza	3mm
Larghezza	1.4mm
Altezza	1.1mm
Minima temperatura operativa	-55 °C

MOSFET DiodesZetex, canale N, 64 mΩ, 5,8 A, SOT-23, Montaggio superficiale

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MOSFET a canale N, 30 V, Diodes Inc

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