MOSFET Infineon, canale N, 80 mΩ, 3,4 A, SOT-23, Montaggio superficiale

Codice RS:: 913-4070
Codice costruttore:: IRLML6346TRPBF
Costruttore:: Infineon

MOSFET Infineon, canale N, 80 mΩ, 3,4 A, SOT-23, Montaggio superficiale

Prezzo per Unità (Su Bobina da 3000)**

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3000 +	0,08 €	240,00 €

**prezzo indicativo

Codice RS:: 913-4070
Codice costruttore:: IRLML6346TRPBF
Costruttore:: Infineon

Datasheet
ESD Control Selection Guide V1

Attributo	Valore
Tipo di canale	N
Corrente massima continuativa di drain	3,4 A
Tensione massima drain source	30 V
Serie	HEXFET
Tipo di package	SOT-23
Tipo di montaggio	Montaggio superficiale
Numero pin	3
Resistenza massima drain source	80 mΩ
Modalità del canale	Enhancement
Tensione di soglia gate massima	1.1V
Tensione di soglia gate minima	0.5V
Dissipazione di potenza massima	1,3 W
Configurazione transistor	Singolo
Tensione massima gate source	-12 V, +12 V
Numero di elementi per chip	1
Carica gate tipica @ Vgs	2,9 nC a 4,5 V
Lunghezza	3.04mm
Materiale del transistor	Si
Massima temperatura operativa	+150 °C
Larghezza	1.4mm
Altezza	1.02mm
Minima temperatura operativa	-55 °C

MOSFET Infineon, canale N, 80 mΩ, 3,4 A, SOT-23, Montaggio superficiale

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MOSFET di potenza a canale N da 30 V, Infineon

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