MOSFET Infineon, canale N 80 V, 23 mΩ Miglioramento, 28 A, 8 Pin, SuperSO, Superficie

Questo MOSFET è un transistor a canale N a montaggio superficiale progettato per la commutazione di potenza in ambienti difficili. Funziona in un'ampia gamma di ambienti ed è costruito per applicazioni che richiedono una robusta tolleranza al gate e una gestione della corrente consistente, confezionato in un formato SuperSO a 8 pin per un'integrazione compatta a livello di scheda.

• Il valore nominale di 80 V consente la commutazione ad alta tensione nei circuiti di potenza
• Rds(on) di 23 mΩ riduce le perdite di conduzione a correnti elevate
• La corrente di drenaggio continua di 28 A supporta il funzionamento con carichi pesanti
• La dissipazione di potenza di 38 W consente un'erogazione di potenza sostenuta
• La tolleranza del gate di ±20 V protegge da tensioni di azionamento eccessive
• La tensione diretta di 1,2 V riduce al minimo la conduzione del diodo del corpo

• Adatto per moduli di distribuzione dell'alimentazione automobilistica
• Ideale per le fasi di azionamento dei motori nei veicoli
• Utilizzato per la commutazione dell'uscita del convertitore CC-CC
• Può essere utilizzato per i sistemi di gestione delle batterie
• Utile nell'elettronica dei vani motore ad alta temperatura

È specificato per funzionare da -55 °C a +175 °C, garantendo il funzionamento in ambienti automobilistici tipici e elevati.

È fornito in un contenitore SuperSO progettato per il montaggio superficiale su schede a circuito stampato che richiedono componenti compatti ad alta potenza.

Il dispositivo è un MOSFET a canale N in modalità di potenziamento, che richiede un azionamento gate-to-source positivo per l'accensione e la conduzione.

Il pacchetto presenta otto pin, che devono essere alloggiati nell'ingombro del circuito stampato per garantire prestazioni di saldatura e termiche corrette.