MOSFET Infineon, canale N 80 V, 5.2 mΩ Miglioramento, 95 A, 8 Pin, SuperSO, Superficie BSC052N08NS5ATMA1

Codice RS:: 215-2461
Codice costruttore:: BSC052N08NS5ATMA1
Costruttore:: Infineon

MOSFET Infineon, canale N 80 V, 5.2 mΩ Miglioramento, 95 A, 8 Pin, SuperSO, Superficie BSC052N08NS5ATMA1

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Codice RS:: 215-2461
Codice costruttore:: BSC052N08NS5ATMA1
Costruttore:: Infineon

Specifiche

Documentazione Tecnica

Normative

Dettagli prodotto

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Seleziona tutto	Attributo	Valore
	Marchio	Infineon
	Tipo di canale	N
	Tipo prodotto	MOSFET
	Massima corrente di scarico continua Id	95A
	Tensione massima della sorgente di scarico Vds	80V
	Tipo di package	SuperSO
	Serie	OptiMOS
	Tipo montaggio	Superficie
	Numero pin	8
	Resistenza massima della sorgente di scarico Rds	5.2mΩ
	Modalità canale	Miglioramento
	Minima temperatura operativa	-55°C
	Tensione massima della sorgente del cancello Vgs	20V
	Tensione diretta Vf	1.1V
	Dissipazione di potenza massima Pd	83W
	Carica tipica del gate Qg @ Vgs	32nC
	Temperatura massima di funzionamento	150°C
	Standard/Approvazioni	No
	Standard automobilistico	No

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	Marchio Infineon
	Tipo di canale N
	Tipo prodotto MOSFET
	Massima corrente di scarico continua Id 95A
	Tensione massima della sorgente di scarico Vds 80V
	Tipo di package SuperSO
	Serie OptiMOS
	Tipo montaggio Superficie
	Numero pin 8
	Resistenza massima della sorgente di scarico Rds 5.2mΩ
	Modalità canale Miglioramento
	Minima temperatura operativa -55°C
	Tensione massima della sorgente del cancello Vgs 20V
	Tensione diretta Vf 1.1V
	Dissipazione di potenza massima Pd 83W
	Carica tipica del gate Qg @ Vgs 32nC
	Temperatura massima di funzionamento 150°C
	Standard/Approvazioni No
	Standard automobilistico No

Datasheet - BSC052N08NS5ATMA1

MOSFET Infineon serie OptiMOS, tensione massima della sorgente di drenaggio di 80 V, corrente di drenaggio continua massima di 95 A - BSC052N08NS5ATMA1

Questo MOSFET è un transistor a modalità di potenziamento a canale N a montaggio superficiale progettato per la commutazione ad alta corrente nell'elettronica di potenza. È progettato per applicazioni che richiedono una conduzione efficiente e una commutazione rapida in un'ampia gamma ambientale, ed è fornito in un contenitore SuperSO a 8 pin adatto per layout di schede compatti.

Caratteristiche e vantaggi:

• Resistenza di accensione molto bassa, 5,2 mΩ, che consente di ridurre le perdite di conduzione
• Elevata corrente di drenaggio continua di 95 A che consente una gestione del carico elevata
• Valore nominale drain-source di 80 V per supportare progetti a media tensione
• Dissipazione di potenza massima di 83 W che consente un carico termico prolungato
• Carica gate tipica di 32 nC per transizioni di commutazione più veloci
• Tolleranza gate-source 20 V per adattarsi a tensioni di azionamento robuste

Applicazioni

• Adatto per convertitori CC-CC ad alta efficienza nelle guide di alimentazione
• Ideale per la rettifica sincrona nelle fasi di alimentazione
• Utilizzato per la commutazione a mezzo ponte dell'azionamento del motore e dell'inverter
• Può essere utilizzato per server e moduli di distribuzione dell'alimentazione per telecomunicazioni
• Utilizzato nella commutazione industriale in cui è richiesto un ampio intervallo di temperatura

Quali temperature estreme può tollerare il dispositivo durante il funzionamento?

È specificato per funzionare da -55 °C fino a 150 °C, consentendo l'uso in ambienti termici impegnativi.

Quale metodo di montaggio e contenitore è necessario consentire sulla scheda?

Il dispositivo viene fornito in un contenitore SuperSO a 8 pin a montaggio superficiale, pertanto il layout deve accogliere il pad termico e il modello di messa a terra SMD.

Come si comporta il transistor quando viene azionato con tensioni di gate più elevate?

La tensione massima gate-source è di 20 V

all'interno del quale limitano le tensioni di azionamento più elevate, riducono RDS(on) e migliorano le prestazioni di conduzione.

Quali sono le caratteristiche di commutazione che influenzano il layout per i progetti ad alta frequenza?

Una carica di gate tipica di 32 nC determina l'energia dell'azionamento del gate e influisce sui circuiti di azionamento e sulle strategie di attenuazione delle EMI.