MOSFET Infineon, canale Tipo N 80 V, 5.2 mΩ Miglioramento, 95 A, 8 Pin, SuperSO, Superficie

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Codice RS:
215-2460
Codice costruttore:
BSC052N08NS5ATMA1
Costruttore:
Infineon
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Marchio

Infineon

Tipo di canale

Tipo N

Tipo prodotto

MOSFET

Massima corrente di scarico continua Id

95A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

80V

Serie

OptiMOS

Tipo di package

SuperSO

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

8

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

5.2mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Dissipazione di potenza massima Pd

83W

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

20 V

Tensione diretta Vf

1.1V

Minima temperatura operativa

-55°C

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

32nC

Temperatura massima di funzionamento

150°C

Standard/Approvazioni

No

Standard automobilistico

No

Il transistor Infineon OptiMOSTM5Power ha una tensione di sorgente di drain massima di 80V con contenitore di tipo SuperSO8 5x6. Ha una potenziale applicazione come server per telecomunicazioni, solare, azionamenti a bassa tensione, veicoli elettrici leggeri e adattatore. È ottimizzato per alimentatori switching ad alte prestazioni, ad esempio Sync .rec e un'eccellente resistenza termica.

Ottimizzato per la rettifica sincrona

Ideale per una frequenza di commutazione elevata

Riduzione della capacità di uscita fino al 44%

Riduzione R DS(on) fino al 44%

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