MOSFET Infineon, canale Tipo N 30 V, 80 mΩ Miglioramento, 3.4 A, 3 Pin, SOT-23, Superficie IRLML6346TRPBF

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Opzioni di confezione:
Codice RS:
737-7234
Codice Distrelec:
304-45-319
Codice costruttore:
IRLML6346TRPBF
Costruttore:
Infineon
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Marchio

Infineon

Tipo di canale

Tipo N

Tipo prodotto

MOSFET

Massima corrente di scarico continua Id

3.4A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

30V

Serie

HEXFET

Tipo di package

SOT-23

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

3

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

80mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Tensione diretta Vf

1.2V

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

2.9nC

Dissipazione di potenza massima Pd

1.3W

Minima temperatura operativa

-55°C

Temperatura massima di funzionamento

150°C

Standard/Approvazioni

No

Lunghezza

3.04mm

Altezza

1.02mm

Standard automobilistico

No

MOSFET di potenza a canale N da 30 V, Infineon


La gamma Infineon di MOSFET di potenza singoli HEXFET® comprende dispositivi a canale N con contenitori a montaggio superficiale e terminali. I fattori di forma sono adatti a quasi tutti i layout di scheda e alle sfide della progettazione termica. Il valore di riferimento della resistenza su tutta la gamma riduce le perdite di conduzione, consentendo ai progettisti di ottenere un rendimento ottimale del sistema.

Transistor MOSFET, Infineon


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