MOSFET singoli Vishay, canale Doppio N 40 V, 0.024 Ω Miglioramento, 8 A, 8 Pin, SO-8, Foro passante SQ4940CEY-T1_GE3

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Codice RS:
653-183
Codice costruttore:
SQ4940CEY-T1_GE3
Costruttore:
Vishay
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Marchio

Vishay

Tipo di canale

Doppio N

Tipo prodotto

MOSFET singoli

Massima corrente di scarico continua Id

8A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

40V

Tipo di package

SO-8

Serie

SQ4940CEY

Tipo montaggio

Foro passante

Numero pin

8

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

0.024Ω

Modalità canale

Miglioramento

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

±20 V

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

11.2nC

Tensione diretta Vf

1.1V

Dissipazione di potenza massima Pd

4W

Minima temperatura operativa

-55°C

Temperatura massima di funzionamento

175°C

Altezza

1.75mm

Lunghezza

5mm

Standard/Approvazioni

AEC-Q101

Larghezza

4 mm

Standard automobilistico

AEC-Q101

MOSFET a doppio canale N di grado automobilistico Vishay progettato per applicazioni di commutazione ad alte prestazioni. Funziona a una tensione di drenaggio-sorgente di 40 V e può resistere a temperature fino a 175 °C, il che lo rende ideale per ambienti impegnativi. Questo dispositivo è costruito con la tecnologia TrenchFET e viene fornito in un contenitore SO-8 compatto.

Certificazione AEC-Q101

Senza Pb

Prodotto privo di alogeni

Conforme alla direttiva RoHS

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