MOSFET Vishay, canale N 80 V, 12 mΩ Miglioramento, 72 A, 8 Pin, SO-8, Superficie SQJA78EP-T1_GE3

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Opzioni di confezione:
Codice RS:
188-5157
Codice costruttore:
SQJA78EP-T1_GE3
Costruttore:
Vishay
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Marchio

Vishay

Tipo di canale

N

Tipo prodotto

MOSFET

Massima corrente di scarico continua Id

72A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

80V

Serie

SQJA78EP

Tipo di package

SO-8

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

8

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

12mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Minima temperatura operativa

-55°C

Dissipazione di potenza massima Pd

68W

Tensione diretta Vf

1.2V

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

20V

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

62nC

Temperatura massima di funzionamento

175°C

Larghezza

4.47mm

Lunghezza

5mm

Altezza

1.01mm

Standard/Approvazioni

No

Standard automobilistico

AEC-Q101

MOSFET a 175 °C N-Channel 80 V (D-S) per autoveicoli.

MOSFET di potenza TrenchFET®

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